受動的な導波路部の組み込まれたハイブリッド型シリコンを基本とする衝突パルスモード同期レーザ

DAVENPORT Michael L.; KURCZVEIL Geza; HECK Martijn J. R.; BOWERS John E.

文献

J-GLOBAL ID：201302261994336170 整理番号：13A0758389

受動的な導波路部の組み込まれたハイブリッド型シリコンを基本とする衝突パルスモード同期レーザ

A Hybrid Silicon Colliding Pulse Mode-locked Laser with Integrated Passive Waveguide Section

出版者サイト複写サービスで全文入手 {{ this.onShowCLink("http://jdream3.com/copy/?sid=JGLOBAL&noSystem=1&documentNoArray=13A0758389&COPY=1") }}
高度な検索・分析はJDreamⅢで {{ this.onShowJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=13A0758389&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=T0931A") }}

著者 (4件)： , , ,
資料名：
巻： 2012 ページ： 816-817 発行年： 2012年
JST資料番号： T0931A ISSN： 1092-8081 資料種別：会議録 (C)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

シリコンをプラットフォームとするハイブリッド型素子は,CMOS技術を有効に活用できるフォトニック素子として期待されている。従来のシリコンを基本としたハイブリッド型モード同期レーザは,短パルスの下で安定に稼働することが報告されているが,受動的な素子や導波路部の集積はない。本稿では,受動的な導波路部の組み込まれたハイブリッド型シリコンを基本とする衝突パルスモード同期レーザの作製とその特性を研究した結果を報告する。作製したレーザは,大きさが1mmのハイブリッド型シリコン/III-V化合物から成る活性領域と両側に位置する大きさが1.5mmのシリコン導波路によって構成されている。利得部から受動部への遷移領域は,テーパ状に加工されたIII-V族半導体導波路から成っている。テーパ状の領域を通過する際の損失は,0.3dB程度である。また,テーパ状の遷移領域からの反射は観測されなかった。このレーザを18GHzで作動させた場合における20dBのRFバンド幅は,1.6MHzであることが分かった。

, , , , , , , ,
, ,

半導体レーザ

, , , , ,

前のページに戻る