文献

J-GLOBAL ID：201302262035010334   整理番号：13A1598117

新しいパワー半導体の研究開発,利用の動向 GaN半導体の研究開発の動向と今後の展望

著者 (1件)： 江川孝志 (名古屋工大)
資料名： 電気評論  (Electrical Review)
巻： 98  号： 10  ページ： 34-38  発行年： 2013年10月10日 
JST資料番号： G0720A  ISSN： 0285-5860  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 高周波・高出力デバイスおよび電源・電力変換用デバイス材料として期待されるGaN半導体の開発動向をまとめた。GaN系半導体材料を使用したHEMTは,高耐圧で高温での動作が可能であり,電子のピーク速度が大きく,n型不純物を添加せずにヘテロ界面に二次元電子ガスが誘起される利点を備える。Si基板上に形成されたAlGaN/GaN HEMTで多層膜構造を使用することにより成長層の厚膜化が可能となり,9μmの厚さのAlGaN/GaN HEMTの形成に成功し,成長層の厚膜化によりデバイスの耐圧を改善をすることができた。また,エピのコストと反りの低減を考えた場合にエピ層の絶縁破壊強度改善の必要性を指摘した。

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,  *半導体材料 ,  *HEMT ,  アルミニウム化合物 ,  多層膜 ,  厚膜 ,  層 ,  エピタクシー ,  絶縁耐力 ,  パワーエレクトロニクス ,  窒化アルミニウムガリウム/窒化ガリウム ,  エピタキシャル層
準シソーラス用語： AlGaN/GaN ,  エピ層

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： パワー半導体 ,  研究 ,  開発 ,  動向 ,  GaN ,  展望