文献

J-GLOBAL ID：201302262047315386   整理番号：12A1798832

LaドープBaSnO₃透明導電性エピタキシャル膜における組成依存の金属-半導体転移

Composition dependent metal-semiconductor transition in transparent and conductive La-doped BaSnO₃ epitaxial films

著者 (9件)： LIU Qinzhuang (School of Physics and Electronic Information, Huaibei Normal Univ., Huaibei 235000, CHN) ,  LIU Jianjun (School of Physics and Electronic Information, Huaibei Normal Univ., Huaibei 235000, CHN) ,  LI Bing (School of Physics and Electronic Information, Huaibei Normal Univ., Huaibei 235000, CHN) ,  LI Hong (School of Physics and Electronic Information, Huaibei Normal Univ., Huaibei 235000, CHN) ,  ZHU Guangping (School of Physics and Electronic Information, Huaibei Normal Univ., Huaibei 235000, CHN) ,  DAI Kai (School of Physics and Electronic Information, Huaibei Normal Univ., Huaibei 235000, CHN) ,  LIU Zhongliang (School of Physics and Electronic Information, Huaibei Normal Univ., Huaibei 235000, CHN) ,  ZHANG Peng (School of Physics and Electronic Information, Huaibei Normal Univ., Huaibei 235000, CHN) ,  DAI Jianming (Inst. of Solid State Physics, Chinese Acad. of Sci., Hefei 230031, CHN)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 101  号： 24  ページ： 241901-241901-5  発行年： 2012年12月10日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ぺロブスカイト構造(La_xBa_1-x)SnO₃(x=0-0.20)(LBSO)膜をパルスレーザ堆積によりMgO基板上でエピタキシャル成長させ,膜の構造特性,電気特性,および光学特性を調べた。その結果,これらの膜は可視領域で90%以上の高い透過率を示し,ドーパント濃度に依存する金属-半導体転移(MST)をすることが分かった。LBSO膜のLa含有量が0から0.20へと増加するにつれて,MST温度は105Kから32Kまで低下し,それから再び規則的に増大する。異なるLaドーピング濃度の膜の低温での半導性挙動は弱い局在とAnderson局在に基づく二種の伝導モデルで説明できた。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *透明導電膜 ,  化合物半導体 ,  *バリウム化合物 ,  *スズ酸塩 ,  ペロブスカイト型結晶 ,  *金属-半導体転移 ,  転移温度 ,  透過率 ,  Anderson局在 ,  ドーピング ,  ランタン ,  ドーパント ,  不純物濃度 ,  化学組成 ,  電気伝導 ,  半導性 ,  電気抵抗率 ,  エピタクシー ,  レーザ蒸着 ,  パルスレーザ照射 ,  ランタン化合物 ,  パルスレーザ蒸着
準シソーラス用語： パルスレーザ堆積 ,  光透過率 ,  透明導電性酸化物

分類 (2件)： 半導体結晶の電気伝導  (BM03043X) ,  相転移・臨界現象一般  (BL04010V)

タイトルに関連する用語 (6件)： La ,  ドープ ,  導電性 ,  エピタキシャル膜 ,  組成 ,  金属-半導体転移