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J-GLOBAL ID:201302262184208210   整理番号:13A1630144

WZ-ZB InPナノワイヤヘテロ接合における電荷キャリア加熱の直接観測

Direct Observation of Charge-Carrier Heating at WZ-ZB InP Nanowire Heterojunctions
著者 (9件):
資料名:
巻: 13  号:ページ: 4280-4287  発行年: 2013年09月 
JST資料番号: W1332A  ISSN: 1530-6984  CODEN: NALEFD  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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ポリ-L-リジンで処理したInP基板上のコロイドAuナノ粒子を種として,MOCVDによりInPナノワイヤを成長し,石英ガラス上にナノワイヤ集団だけを移動し時間分解PLスペクトル,光伝導性により解析した。結果は,InPナノワイヤはその成長方向に沿い積層欠陥によるウルツ鉱-閃亜鉛鉱(WZ-ZB)タイプIIの界面を持ち,PLクエンチングがこの界面の増大により迅速となり,従って界面を横切る電荷移動速度により支配されることを示した。非共鳴励起に次いで,時間分解PLスペクトルの高エネルギー側のテイルから導かれた荷電キャリアの温度は時間とともに減少し,迅速なキャリア冷却に符合した。しかし,高密度の積層欠陥を有するナノワイヤ集団では冷却速度は著しく低いことから,タイプIIのヘテロ界面を横切るキャリアの移動が平衡状態の結晶格子に追加的なエネルギーを与え,そのLOフォノンとの相互作用のためにキャリア冷却が抑圧されると結論した。この余分なエネルギーはナノワイヤを有機物マトリックスに置くことで収穫できる可能性があり,太陽電池などの効率向上への発展が期待できる。
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半導体のルミネセンス 
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