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J-GLOBAL ID：201302262298002468   整理番号：13A1274716

超正方晶BiFeO₃を利用する強誘電性トンネル接合の巨大電気抵抗

Giant Electroresistance of Super-tetragonal BiFeO₃-Based Ferroelectric Tunnel Junctions

著者 (25件)： YAMADA Hiroyuki (Campus de Polytechnique, Palaiseau, FRA) ,  YAMADA Hiroyuki (Univ. Paris-Sud, Orsay, FRA) ,  YAMADA Hiroyuki (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN) ,  GARCIA Vincent (Campus de Polytechnique, Palaiseau, FRA) ,  GARCIA Vincent (Univ. Paris-Sud, Orsay, FRA) ,  FUSIL Stephane (Campus de Polytechnique, Palaiseau, FRA) ,  FUSIL Stephane (Univ. Paris-Sud, Orsay, FRA) ,  FUSIL Stephane (Univ. d’Evry-Val d’Essonne, Evry, FRA) ,  BOYN Soeren (Campus de Polytechnique, Palaiseau, FRA) ,  BOYN Soeren (Univ. Paris-Sud, Orsay, FRA) ,  MARINOVA Maya (Univ. Paris Sud XI, Orsay, FRA) ,  GLOTER Alexandre (Univ. Paris Sud XI, Orsay, FRA) ,  XAVIER Stephane (Campus de Polytechnique, Palaiseau, FRA) ,  GROLLIER Julie (Campus de Polytechnique, Palaiseau, FRA) ,  GROLLIER Julie (Univ. Paris-Sud, Orsay, FRA) ,  JACQUET Eric (Campus de Polytechnique, Palaiseau, FRA) ,  JACQUET Eric (Univ. Paris-Sud, Orsay, FRA) ,  CARRETERO Cecile (Campus de Polytechnique, Palaiseau, FRA) ,  CARRETERO Cecile (Univ. Paris-Sud, Orsay, FRA) ,  DERANLOT Cyrile (Campus de Polytechnique, Palaiseau, FRA) ,  DERANLOT Cyrile (Univ. Paris-Sud, Orsay, FRA) ,  BIBES Manuel (Campus de Polytechnique, Palaiseau, FRA) ,  BIBES Manuel (Univ. Paris-Sud, Orsay, FRA) ,  BARTHELEMY Agnes (Campus de Polytechnique, Palaiseau, FRA) ,  BARTHELEMY Agnes (Univ. Paris-Sud, Orsay, FRA)
資料名： ACS Nano  (ACS Nano)
巻： 7  号： 6  ページ： 5385-5390  発行年： 2013年06月 
JST資料番号： W2326A  ISSN： 1936-0851  CODEN： ANCAC3  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 強誘電性トンネル接合は,強誘電分極を切替えることによって引き起こされる抵抗の変化により強誘電状態の非破壊読み出しを可能にする。巨大な軸比(「T-位相」)を有する,最近発見されたBiFeO₃の多形体を利用し,サブミクロン固体状態強誘電体トンネル接合を作製した。電圧パルスを接合に印加することで,これまでに報告された最も高い抵抗変化(OFF/ON比>10000)が得られた。良好な保持特性とともに,この大きな効果は,強誘電性トンネル接合を利用した不揮発性メモリへの関心を更に高める。超極薄BiFeO₃の強誘電分域の核形成および成長(圧電応答力顕微鏡によって撮像される)と共に抵抗値が変化することを示す。多値メモリセルおよびメムリスタとしての用途も期待される。

シソーラス用語： 正方晶系 ,  ビスマス化合物 ,  フェライト ,  鉄化合物 ,  強誘電体 ,  *強誘電性 ,  *トンネル接合 ,  電気抵抗 ,  *不揮発性メモリ ,  超薄膜 ,  分域構造 ,  核形成 ,  結晶成長 ,  多値論理 ,  回路部品 ,  抵抗器 ,  半導体メモリ ,  スイッチング
準シソーラス用語： ビスマスフェライト ,  巨大電気抵抗

分類 (2件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B)

タイトルに関連する用語 (5件)： 正方晶 ,  BiFeO3 ,  強誘電性 ,  トンネル接合 ,  電気抵抗