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J-GLOBAL ID：201302262329971189   整理番号：13A1028286

2段階工程によるCu₂ZnSnSe₄薄膜の成長と評価

Growth and characterization of Cu₂ZnSnSe₄ thin films by a two-stage process

著者 (4件)： UDAY BHASKAR P. ,  SURESH BABU G. ,  KISHORE KUMAR Y.b. ,  SUNDARA RAJA V.
資料名： Solar Energy Materials and Solar Cells  (Solar Energy Materials and Solar Cells)
巻： 115  ページ： 181-188  発行年： 2013年08月 
JST資料番号： D0513C  ISSN： 0927-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 多結晶Cu₂ZnSnSe₄(CZTSe)薄膜を,初めに温度域523~723Kでの異なる基板温度(T_s)で,ソーダ石灰ガラス基板にCu/ZnSe/Sn/Se積層を熱蒸着し,次いで,積層をセレン雰囲気中723Kで1時間アニールする2段階工程で作成した。これらの膜の成長と特性におよぼすT_sの効果を分析するために,構造的,ミクロ構造的および光学特性を調べた。XRD研究から,構造がa=0.569nmとc=1.139nmをもつケスターライトと分かった。Raman分光法を相補的手段に使って,第二相の存在可能性を調べた。基板温度の上昇とともに,膜の結晶性が改善された。膜のスペクトル透過率を調べた結果,アニールした積層の不均質性の可能性を考慮して,CZTSeおよび少数ZnSeを含むCZTSeに由来すると見られ,約1.0eVと1.4eVの直接バンドギャップをもつ2種類の光学遷移が明らかになった。Copyright 2013 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *セレン化物 ,  *スズ化合物 ,  *銅化合物 ,  *亜鉛化合物 ,  多結晶 ,  ソーダ石灰ガラス ,  基板 ,  *物理蒸着 ,  *熱処理 ,  *基板温度 ,  X線回折 ,  結晶度 ,  *バンドギャップ ,  光透過 ,  Ramanスペクトル ,  結晶構造 ,  格子定数 ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (4件)： 2段階工程 ,  薄膜 ,  成長 ,  評価