空間トライボロジーのためのMoS<sub>2</sub>/a-C膜の製作と性質

WU Yanxia; WU Yanxia; LI Hongxuan; JI Li; YE Yinping; CHEN Jianmin; ZHOU Huidi

文献

J-GLOBAL ID：201302262405099712 整理番号：13A1818630

空間トライボロジーのためのMoS₂/a-C膜の製作と性質

Preparation and properties of MoS₂/a-C films for space tribology

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資料名：
巻： 46 号： 42 ページ： 425301,1-9 発行年： 2013年10月23日
JST資料番号： B0092B ISSN： 0022-3727 CODEN： JPAPBE 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

異なる(Mo+S)/C比を有するMoS₂/アモルファスカーボン(a-C)ナノ複合膜が中間周波数不均衡マグネトロンスパッタリングによるステンレス鋼と単結晶ケイ素基板上で製作された。MoS₂ターゲットのスパッタリング電流を変えることによって,(Mo+S)/C比は0から0.19まで変化し,MoS₂単結晶は少なくとも0.07の(Mo+S)/C比を有する膜中に形成される。MoS₂ドーピングはsp²炭素の容積中の増加に導き,a-C膜と比較した複合膜の硬度と弾性係数を減少させる。しかしながら,MoS₂ドーピングはそれらの内部応力や平均自乗根粗さに及ぼす影響はほとんどない。膜中の(Mo+S)/C比の増加に伴って,摩擦係数は減少するが,滑り時間は真空トライポロジー試験で増加する。さらに,少なくとも0.12の(Mo+S)/C比が良いトライポロジー性を維持するためにMoS₂層状構造を形成するために複合膜に対して必要とされる。さらに,0.12の(Mo+S)/C比を有する膜は全ての試験環境で優れたトライポロジー性を維持する。異なるトライポロジー性はMoS₂結晶の配向と膜の黒鉛化に帰される。

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固体の機械的性質一般 , 潤滑一般

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空間トライボロジーのためのMoS2/a-C膜の製作と性質

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