鉛フリーKNN-LS-BF圧電セラミックスの構造と特性に及ぼすV<sub>2</sub>O<sub>5</sub>ドーピングの影響

ZHAI Xia; WANG Hua; XU Ji-Wen; YUAN Chang-Lai; ZHANG Xiao-Wen; ZHOU Chang-Rong; LIU Xin-Yu

文献

J-GLOBAL ID：201302262617646152 整理番号：13A0143850

鉛フリーKNN-LS-BF圧電セラミックスの構造と特性に及ぼすV₂O₅ドーピングの影響

Effects of V₂O₅ doping on the structure and properties lead-free KNN-LS-BF piezoelectric ceramics

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資料名：
巻： 24 号： 2 ページ： 687-691 発行年： 2013年02月
JST資料番号： W0003A ISSN： 0957-4522 CODEN： JMTSAS 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

鉛フリー[0.996(0.95Na_0.5K_0.5NbO₃-0.05LiSbO₃)-0.004BiFeO₃]-xモル%V₂O₅(KNN-LS-BF-xV₂O₅)圧電セラミックスを固体反応プロセスによって作製しセラミックスの構造と特性に及ぼすV₂O₅ドーピングの影響を研究した。その結果,V₂O₅の添加はKNN-LS-BFセラミックスの焼結性と包括的な特性を大幅に改善することが分かる。X線回折から少量のV₂O₅は粒子を小さく均一にするがKNN-LS-BFの相構造を変化させないことが分かる。1060°Cの低温でシンターされたKNN-LS-BF-xV₂O₅セラミックスの主特性パラメータはx=0.3モル%近傍で最適化される。その時,53.87の高い機械品質因子Q_mだけでなく,183pC/Nの高い圧電係数d₃₃,0.25のプレーナ電気機械係数k_p,638.83の高い誘電定数,そして1kHzで0.7%の低い誘電損失tanδが得られる。Copyright 2012 Springer Science+Business Media, LLC Translated from English into Japanese by JST.

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圧電デバイス

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鉛フリーKNN-LS-BF圧電セラミックスの構造と特性に及ぼすV2O5ドーピングの影響

鉛フリーKNN-LS-BF圧電セラミックスの構造と特性に及ぼすV₂O₅ドーピングの影響