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J-GLOBAL ID：201302262734145814   整理番号：12A1798651

ジボランから純粋なホウ素層を化学蒸着させるための解析的な動力学モデル

An analytical kinetic model for chemical-vapor deposition of pureB layers from diborane

著者 (3件)： MOHAMMADI V. (Delft Inst. of Microsystems and Nanoelectronics, Delft Univ. of Technol., Feldmannweg 17, 2628 CT Delft, NLD) ,  DE BOER W. B. (Delft Inst. of Microsystems and Nanoelectronics, Delft Univ. of Technol., Feldmannweg 17, 2628 CT Delft, NLD) ,  NANVER L. K. (Delft Inst. of Microsystems and Nanoelectronics, Delft Univ. of Technol., Feldmannweg 17, 2628 CT Delft, NLD)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 112  号： 11  ページ： 113501-113501-10  発行年： 2012年12月01日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 気体源としてのジボラン(B₂H₆)から化学蒸着法(CVD)によって非回転シリコンウエハ上に純粋なホウ素(Pure B-)層を蒸着する場合の堆積速度を決定する薄膜成長の動力学と,蒸着槽の特性を記述するために解析的なモデルを導いた。モデルではウエハ上の定常的な境界層を通してのジボラン種の拡散機構,気相過程,反応器内の実際の放物線的気体速度と温度勾配の印加に関連する表面反応を考慮した。これらを理論的に計算し,FLUENTソフトウェアでシミュレートした。ジボラン種の軸方向および横方向拡散の影響と実験的なCVD過程における層流に対するモデルの有効性も取り扱った。このモデルは初期のジボランの分圧,全気体流,ウエハ上の軸位置,堆積温度,ジボランからのPure B蒸着の活性化エネルギー,表面H被覆および反応器の大きさのような広い範囲の入力パラメータに基づいている。これらの反応器/処理パラメータの調整のみで,モデルはASM Epsilon Oneから全体的に異なる反応器条件をもつEpsilon 2000にうまく移行した。これらの二つの異なるASM CVD反応器内の700°Cで行った実験によってモデルの予測能力を証明した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *化学蒸着 ,  *ホウ素 ,  *力学モデル ,  *ジボラン ,  ウエハ【IC】 ,  ケイ素 ,  プログラムパッケージ ,  シミュレーション ,  薄膜成長 ,  堆積速度 ,  表面反応
準シソーラス用語： 動力学モデル ,  FLUENT

分類 (2件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A) ,  薄膜一般  (BK14010X)

タイトルに関連する用語 (5件)： ジボラン ,  ホウ素 ,  化学蒸着 ,  解析 ,  動力学モデル