Bootstrap形ドライバ回路内蔵高速GaN HEMTsバックコンバータの試作結果

新庄真太郎; HONG Young-Pyo; 向井謙治; 向井謙治; GHEIDI Hames; ASBECK Peter M.

文献

J-GLOBAL ID：201302262803112435 整理番号：13A1303920

Bootstrap形ドライバ回路内蔵高速GaN HEMTsバックコンバータの試作結果

High Speed GaN HEMTs Buck Converter with Bootstrap Driver Circuit

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著者 (6件)： , , , , ,
資料名：
巻： EMT-13 号： 72-110.112-119 ページ： 231-234 発行年： 2013年07月18日
JST資料番号： Z0909A 資料種別：会議録 (C)
記事区分：原著論文発行国：日本 (JPN) 言語：日本語 (JA)

エンベロープトラッキング(ET)増幅器において,3GPP LTEやWiMAXなどの広帯域変調信号が用いられる場合においても高効率な特性を維持するためには,エンベロープ信号を増幅するエンベロープ増幅器の高効率動作が課題の一つとなる。本報告では,Bootstrap形ドライバ回路を内蔵したGaN HEMTスイッチング増幅器,直流電流フィードインダクタ,およびローパスフィルタにより構成するバックコンバータを提案する。Bootstrap形ドライバ回路を適用することにより低電源電圧での動作が可能となり,その結果ドライバ回路の消費電力を低減しスイッチング増幅器の全体効率を改善することができる。提案のバックコンバータを試作し,変調帯域幅20MHzのLTEエンベロープ信号を用いて評価した結果,出力電力3.2W,ドライバ回路を含めたスイッチング増幅器の全体効率73%を得た。(著者抄録)

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増幅回路

引用文献 (7件)：

HSIA, Chin. Wideband High Efficiency Digitally-Assisted Envelope Amplifier with Dual Switching Stages for Radio Base-Station Envelope Tracking Power Amplifiers. IEEE MTT-S International Microwave Symposium, 2010. 2010
GIOVANNELLI, Niccolo. A 80W Broadband GaN HEMT Envelope Tracking PA Harmonically Tuned for WCDMA and LTE with 50% Average Efficiency. IEEE MTT-S International Microwave Symposium, 2012. 2012
HASSAN, Muhammad. High Efficiency Envelope Tracking Power Amplifier with Very Low Quiescent Power for 20MHz LTE. IEEE Radio Frequency Integrated Circuits Symposium, 2011. 2011
YAN, J. J. A High Efficiency 780 MHz GaN Envelope Tracking Power Amplifier. IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium, 2012. 2012, 1-4
HSIA, C. Digitally assisted dual-switch high-efficiency envelope amplifier for envelope-tracking base-station power amplifiers. IEEE Trans. Microw. Theory Tech. 2011, 59, 2943-2952

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