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J-GLOBAL ID：201302262804802222   整理番号：13A1797018

小分子系電界効果トランジスタの増加した分子間接触により増強された正孔キャリア輸送

Enhanced Hole Carrier Transport Due to Increased Intermolecular Contacts in Small Molecule Based Field Effect Transistors

著者 (10件)： DHARMAPURIKAR Satej S. (CSIR, Maharashtra, IND) ,  DHARMAPURIKAR Satej S. (Acad. of Scientific and Innovative Res., New Delhi, IND) ,  ARULKASHMIR Arulraj (CSIR, Maharashtra, IND) ,  ARULKASHMIR Arulraj (Acad. of Scientific and Innovative Res., New Delhi, IND) ,  DAS Chayanika (CSIR, Maharashtra, IND) ,  DAS Chayanika (Acad. of Scientific and Innovative Res., New Delhi, IND) ,  MUDDELLU Pooja (CSIR, Maharashtra, IND) ,  KRISHNAMOORTHY Kothandam (CSIR, Maharashtra, IND) ,  KRISHNAMOORTHY Kothandam (Acad. of Scientific and Innovative Res., New Delhi, IND) ,  KRISHNAMOORTHY Kothandam (CSIR, New Delhi, IND)
資料名： ACS Applied Materials & Interfaces  (ACS Applied Materials & Interfaces)
巻： 5  号： 15  ページ： 7086-7093  発行年： 2013年08月14日 
JST資料番号： W2329A  ISSN： 1944-8244  CODEN： AAMICK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本文では,アクセプタとしてiインジゴをドナーとしてトリフェニルアミン(TPA)をもつ小分子を合成した。ドナー-アクセプタ-ドナー型小分子を合成するため,電子の豊富なTPAと電子の乏しいiインジゴを結合した。プロペラ形のTPAは小分子の溶解性や等方性の電荷輸送の増加を助ける。小分子を使用した有機電界効果トランジスタは,熱アニーリングの前に0.3cm²/Vsの正孔キャリア移動度を示した。150°Cの熱アニーリングで,正孔キャリア移動度の最低限の増加が観測され,それは薄膜のモルフォロジーの変化に寄与した。薄膜のモルフォロジーは,共役分子ユニットの賢明な選択により調節できる分子間間隔に加えて,電荷輸送にも重要な役割を果たす。

シソーラス用語： 輸送現象 ,  正孔 ,  *FET【トランジスタ】 ,  小分子 ,  キャリア移動度 ,  四重極相互作用 ,  距離 ,  窒素複素環化合物 ,  エノン ,  芳香族縮合化合物 ,  ジケトン ,  芳香族アミン ,  第三アミン
準シソーラス用語： キャリア輸送 ,  正孔移動度 ,  電界効果トランジスタ ,  分子間距離 ,  *有機電界効果トランジスタ

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

物質索引 (2件)： インジゴ ,  トリフェニルアミン

タイトルに関連する用語 (5件)： 分子系 ,  電界効果トランジスタ ,  増強 ,  正孔 ,  キャリア輸送