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J-GLOBAL ID：201302262953601310   整理番号：13A0283315

Ba₂An(S₂)₂S₂(An=U,Th): 合成,構造及び電子的性質

Ba₂An(S₂)₂S₂ (An = U, Th): Syntheses, Structures, Optical, and Electronic Properties

著者 (5件)： MESBAH Adel (Northwestern Univ., Illinois, USA) ,  RINGE Emilie (Northwestern Univ., Illinois, USA) ,  LEBEGUE Sebastien (Univ. de Lorraine, Vandoeuvre-les-Nancy, FRA) ,  DUYNE Richard P. Van (Northwestern Univ., Illinois, USA) ,  IBERS James A. (Northwestern Univ., Illinois, USA)
資料名： Inorganic Chemistry  (Inorganic Chemistry)
巻： 51  号： 24  ページ： 13390-13395  発行年： 2012年12月17日 
JST資料番号： C0566A  ISSN： 0020-1669  CODEN： INOCAJ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 化合物Ba₂An(S₂)₂S₂(An=U,Th)を対応する元素(An)とBaS及びSの高温反応(An=U,Thに対し各々,1273及び1173K)により合成した。両化合物は等構造(正方晶系,空間群D¹⁵_4h-P4₂/nmc)であることが分かった。その構造はBa²⁺カチオンと²_∞[An(S₂)₂(S)₂^4-]層からなる。これらの層中のAn⁴⁺カチオンは直線的に整列し,S^2-アニオンによって架橋されていることを示した。この配置はS-S単結合を含む通常のアルカリ金属/アクチニド/硫黄化合物とは異なる配置である。An中心の周りの配位は-4m2対称で表せ,2個のS₂^2-イオンと4個のS^2-イオンからなる。2個のS₂^2-の中点と4個のS^2-を考えればこの配位環境は擬八面体配位である。Ba₂Th(S₂)₂S₂の光学測定から直接バンドギャップとして2.46(5)eVを得た。HSE交換相関ポテンシャルを用いた密度汎関数理論により算出したバンドギャップはBa₂Th(S₂)₂S₂とBa₂U(S₂)₂S₂に対し,各々,2.2eVと1.8eVであり,この汎関数が5f電子系にも適用できることを示した。

シソーラス用語： *多硫化物 ,  *ウラン化合物 ,  *トリウム化合物 ,  *バリウム化合物 ,  X線構造解析 ,  *結晶構造 ,  分子構造 ,  *電子構造 ,  バンドギャップ ,  *密度汎関数法

分類 (3件)： 金属酸化物及び金属カルコゲン化物の結晶構造  (BK07020Y) ,  半導体結晶の電子構造  (BM02060N) ,  塩  (CD01050V)

タイトルに関連する用語 (3件)： Th ,  電子 ,  性質