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J-GLOBAL ID：201302263188032244   整理番号：13A0965998

多重半導体薄膜太陽電池

Multiple Semiconductors Thin Film Solar Cells

著者 (2件)： CASTELLETTO Stefania (Macquarie Univ., NSW, AUS) ,  BORETTI Alberto (RMIT Univ., VIC, AUS)
資料名： Nanoscience and Nanotechnology Letters  (Nanoscience and Nanotechnology Letters)
巻： 5  号： 1  ページ： 51-56  発行年： 2013年01月 
JST資料番号： W2373A  ISSN： 1941-4900  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 薄膜太陽電池(TFSC)の光吸収効率を改善するために,シリコン表面に貴金属ナノ粒子を使う方法がある。本稿は,III/V族半導体ナノ粒子をシリコン基板に埋め込んだ第三世代太陽電池の計算結果を示す。光捕獲とマルチバンドギャップの組み合わせが太陽電池の高い量子効率を可能にする。貴金属ナノ粒子の埋め込みは金属の寄生損失が大きいにも拘わらず,貴金属をシリコン表面にデポジットしたTSFCよりも光吸収の改善度が大きい。InAsやGaAsのような直接バンドギャップ半導体で作った埋め込みナノ粒子を使ってこの原理を拡長すると寄生損失の無い良好な結果が得られ,さらに光吸収スペクトル幅が広がるという利点も得られる。

シソーラス用語： *ナノ粒子 ,  太陽電池 ,  Maxwell方程式 ,  効率 ,  化合物半導体 ,  光トラッピング ,  バンドギャップ ,  量子効率 ,  光吸収スペクトル
準シソーラス用語： *III-V族半導体 ,  貴金属ナノ粒子 ,  吸収効率 ,  光捕獲 ,  *薄膜太陽電池

分類 (2件)： 太陽電池  (NC03084O) ,  固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (3件)： 多重 ,  半導体薄膜 ,  太陽電池