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J-GLOBAL ID：201302263433184381   整理番号：13A0748453

シンタクチックフォームのDC絶縁破壊電界強度に及ぼす中空マイクロ球充填率の影響

Impact of the Hollow Microspheres’ Filling Degree on the Electrical dc Breakdown Field Strength of Syntactic Foam

著者 (2件)： STRAUCHS A. (RWTH Aachen Univ., Aachen, DEU) ,  SCHNETTLER A. (RWTH Aachen Univ., Aachen, DEU)
資料名： Annual Report. Conference on Electrical Insulation and Dielectric Phenomena  (Annual Report. Conference on Electrical Insulation and Dielectric Phenomena)
巻： 2012  ページ： 331-334  発行年： 2012年 
JST資料番号： D0693A  ISSN： 0084-9162  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高分子基材中に中空マイクロ球を分散させた新しい絶縁材料であるシンタクチックフォームのDC絶縁破壊に対する実験および理論的検討を行った。中空マイクロ球の充電率を体積比率で10%から10%おきに50%まで増加させた試料のDC絶縁破壊強度を測定した結果,中空球充填率の増大に伴い,破壊電界が低下することが判明し,この結果は三次元電界解析により裏付けられた。また,シンタクチックフォームのDC絶縁破壊を表すモデルにも言及した。

シソーラス用語： *複合材料 ,  シンタクチックフォーム ,  *絶縁破壊 ,  電界強度 ,  球 ,  *絶縁材料 ,  *絶縁耐力 ,  解析モデル ,  *絶縁体
準シソーラス用語： 充填率

分類 (1件)： 絶縁材料  (NA04030W)

タイトルに関連する用語 (7件)： シンタクチックフォーム ,  DC ,  絶縁破壊 ,  電界強度 ,  中空 ,  マイクロ球 ,  充填率