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J-GLOBAL ID：201302263597319784   整理番号：13A1215083

ナノ多孔質フッ素ドープ酸化スズ膜の電気化学ルミネセンス特性に対するアニール温度の効果

Effect of Annealing Temperature on Electrochemical Luminescence Properties of Nanoporous Fluorine-Doped Tin Oxide Films

著者 (3件)： JOO Bong-Hyun (Kyungsung Univ., Busan, KOR) ,  YOON Seog-Young (Pusan National Univ., Busan, KOR) ,  SUNG Youl-Moon (Kyungsung Univ., Busan, KOR)
資料名： Journal of Nanoscience and Nanotechnology  (Journal of Nanoscience and Nanotechnology)
巻： 13  号： 4  ページ： 2981-2985  発行年： 2013年04月 
JST資料番号： W1351A  ISSN： 1533-4880  CODEN： JNNOAR  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 塩化錫とフッ化水素およびアンモニアを使ったゾル-ゲル燃焼法でナノ多孔質フッ素ドープ酸化スズ(FTO)膜を合成し,モルフォロジや透過率および電気化学ルミネセンス(ECL)特性に対するアニール温度(400~550°C)の影響を調べた。XRDパターンのピーク強度と結晶サイズはアニール温度と共にそれぞれ増加する。550°CでアニールしたFTO膜は400~1100nmで80%以上と最高の透過率を示し,光学バンドギャップはアニール温度と共にわずかに減少する。またBET比表面積は29.3~55.8m²/gで,アニール温度と共に増加する。ナノ多孔質FTO膜を使ったECLセルの効率は550°Cでアニールしたものが約975cd/m²と最高であった。

シソーラス用語： *多孔性 ,  多孔質体 ,  *フッ素 ,  *ドーピング ,  *酸化スズ ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  モルフォロジー ,  透過率 ,  透明導電膜 ,  *ゾル-ゲル法 ,  焼なまし ,  光学ギャップ ,  光学定数 ,  *化学ルミネセンス ,  *電気化学反応 ,  薄膜成長
準シソーラス用語： *ナノ多孔質 ,  *電気化学ルミネセンス

分類 (3件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  電気化学反応  (CB07050F)

タイトルに関連する用語 (4件)： ナノ多孔質 ,  フッ素ドープ酸化スズ ,  電気化学ルミネセンス ,  アニール温度