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J-GLOBAL ID:201302263625598651   整理番号:13A0989558

軟X線法によるP-Nダイオード順方向電流の改善

An Improvement of Forward Current of P-N Diode Using Soft X-Ray Method
著者 (6件):
資料名:
巻: 19  号:ページ: 690-693  発行年: 2013年02月 
JST資料番号: W2378A  ISSN: 1936-6612  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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特性の良いダイオードは低い漏れ電流と高い順方向電流を持たなければならない。性能劣化の一つの要因は高エネルギーイオン注入である。特にCMOSプロセスにおいてはバルクシリコンの結晶構造に損傷を生じる。欠陥除去の新しい技術として軟X線法がある。55及び205秒間,55及び70keVのX線照射を行い,その前後の値を求めた。電圧範囲-10~1V,ステップ25mV,暗環境下でウェハレベルの静的I-V特性を測定した。以上によりPtドープ及び軟X線アニーリング技術はダイオードの順方向電流を改善することを示した。
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分類 (3件):
分類
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ダイオード  ,  X線との相互作用  ,  半導体の放射線による構造と物性の変化 
タイトルに関連する用語 (2件):
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