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J-GLOBAL ID：201302263639842717   整理番号：13A0243829

酸化物薄膜トランジスタ用の電気流体力学噴流スプレイ技術

Electrohydrodynamic Jet Spraying Technique for Oxide Thin-Film Transistor

著者 (2件)： KWACK Young-Jin (Hoseo Univ., Asan, KOR) ,  CHOI Woon-Seop (Hoseo Univ., Asan, KOR)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 34  号： 1  ページ： 78-80  発行年： 2013年01月 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 最近,スプレイコーティングやスプレイ熱分解法が電子素子の製作法として報告されている。同様の技術で高分解能を持つ電気流体力学(EHD)噴流スプレイ印刷技術が半導体製作技術として期待されている。本稿では,EHD噴流スプレイ印刷技術による亜鉛-スズ-酸化物(ZTO)薄膜トランジスタ(TFTs)の製作について報告した。酢酸亜鉛水和物と塩化スズを2エトキシエタノールに混合してゾルゲル溶液混合物を作った。EHD噴流スプレイ後,400°C,1時間熱アニールを行った。その結果,移動度4.89cm²/V・s,閾値電圧7.17V,サブ閾値傾斜0.44V・dec^-1,オンオフ比10⁷が得られた。

シソーラス用語： *スプレー塗装 ,  電気流体力学 ,  *化合物半導体 ,  *薄膜トランジスタ ,  塩化スズ ,  ゾル-ゲル法 ,  熱処理 ,  キャリア移動度 ,  電圧 ,  閾値 ,  比率 ,  スイッチング
準シソーラス用語： オンオフ比 ,  サブ閾値 ,  スプレーコーティング ,  *酸化物半導体 ,  熱アニール ,  閾値電圧

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

物質索引 (1件)： 酢酸亜鉛水和物

タイトルに関連する用語 (5件)： 酸化物薄膜 ,  トランジスタ ,  電気流体力学 ,  噴流 ,  スプレイ