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J-GLOBAL ID：201302263802124142   整理番号：13A1193577

CBMシリコン追跡装置用の低雑音,耐放射線両側シリコンストリップ検出器開発の様々な分離技術の研究

Exploring Various Isolation Techniques to Develop Low Noise, Radiation Hard Double-Sided Silicon Strip Detectors for the CBM Silicon Tracking System

著者 (4件)： CHATTERJI Sudeep (GSI Helmholtz Center for Heavy Ion Res. GmbH, Darmstadt, DEU) ,  SINGLA Minni (Goethe Univ., Frankfurt, DEU) ,  MUELLER Walter F. J. (GSI Helmholtz Center for Heavy Ion Res. GmbH, Darmstadt, DEU) ,  HEUSER Johann M. (GSI Helmholtz Center for Heavy Ion Res. GmbH, Darmstadt, DEU)
資料名： IEEE Transactions on Nuclear Science  (IEEE Transactions on Nuclear Science)
巻： 60  号： 3,Pt.3  ページ： 2254-2265  発行年： 2013年06月 
JST資料番号： C0235A  ISSN： 0018-9499  CODEN： IETNAE  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Darmstadtで建設中のFAIR施設におけるCBM(Compressed Barionic Matter)実験の目的は高バリオン密度領域のQCD状態図の研究にある。CBMの両側Siストリップ検出器の等価雑音電荷を低減し,絶縁破壊電圧と電荷収集効率を最高にする最適設計を行った。様々な分離技術を検討し詳しく比較して検出器性能を最適化した。予想されるCBM運転に対する中性子フルエンスは2×10¹³中性子等価/cm²/年である。過渡シミュレーションを行い,照射した検出器の電荷収集性能を評価した。

シソーラス用語： *マイクロストリップ検出器 ,  電荷 ,  電圧 ,  効率 ,  収集 ,  *耐放射線性 ,  *過渡解析 ,  漏れ電流 ,  電流電圧特性 ,  Si半導体検出器 ,  バリオン
準シソーラス用語： 過渡シミュレーション ,  絶縁破壊電圧 ,  電荷収集 ,  電荷収集効率 ,  等価雑音電荷

分類 (1件)： 素粒子・核物理実験技術一般  (BE01010F)

タイトルに関連する用語 (9件)： CBM ,  シリコン ,  追跡装置 ,  低雑音 ,  放射線 ,  ストリップ ,  検出器 ,  開発 ,  研究