文献

J-GLOBAL ID：201302264003890980   整理番号：13A1632434

非晶質酸化物半導体薄膜トランジスタ不動態化を評価するためのフレームワーク

A framework for assessing amorphous oxide semiconductor thin-film transistor passivation

著者 (10件)： WAGER John F. (School of EECS Oregon State Univ. Corvallis, Oregon, USA) ,  HOSHINO Ken (School of EECS Oregon State Univ. Corvallis, Oregon, USA) ,  SUNDHOLM Eric S. (School of EECS Oregon State Univ. Corvallis, Oregon, USA) ,  PRESLEY Rick E. (School of EECS Oregon State Univ. Corvallis, Oregon, USA) ,  RAVICHANDRAN Ram (School of EECS Oregon State Univ. Corvallis, Oregon, USA) ,  KNUTSON Christopher C. (Oregon State UniversityCorvallis, OR USA) ,  KESZLER Douglas A. (Oregon State UniversityCorvallis, OR USA) ,  HOFFMAN Randy L. (Hewlett-Packard Co. Corvallis, OR, USA) ,  MOUREY Devin A. (Hewlett-Packard Co. Corvallis, OR, USA) ,  ROBERTSON John (Cambridge Univ. Cambridge, GBR)
資料名： Journal of the Society for Information Display  (Journal of the Society for Information Display)
巻： 20  号： 10-12  ページ： 589-595  発行年： 2012年10月 
JST資料番号： B0996B  ISSN： 1071-0922  資料種別： 会議録 (C)
発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

タイトルに関連する用語 (6件)： 非晶質 ,  酸化物半導体 ,  薄膜トランジスタ ,  不動態化 ,  評価 ,  フレームワーク