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J-GLOBAL ID：201302264047852201   整理番号：13A0308011

予めアニールした水熱シード層あるいはゾルゲルシード層を用いた非表面処理Au/ZnO Schottkyダイオード

Non-Surface-Treated Au/ZnO Schottky Dides Using Pre-Annealed Hydrothermal or Sol-Gel Seed Layer

著者 (3件)： HWANG Jun-Dar (National Chiayi Univ., Chiayi City, TWN) ,  KUNG Chung-Yaun (National Chung Hsing Univ., Taichung, TWN) ,  LIN You-Lin (National Chung Hsing Univ., Taichung, TWN)
資料名： IEEE Transactions on Nanotechnology  (IEEE Transactions on Nanotechnology)
巻： 12  号： 1  ページ： 35-39  発行年： 2013年01月 
JST資料番号： W1355A  ISSN： 1536-125X  CODEN： ITNECU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ゾルゲル法あるいは水熱法によって調製された二つの異なるシード層の一つを用いてSi基板上に非表面処理酸化亜鉛(ZnO)Schottkyダイオードを作製した。水熱法によってシード層上にZnO膜を成長し,異なるシード層が電気挙動に及ぼす影響を調べるために,Au/ZnO Schottkyダイオードを作製した。観察結果によれば,水熱シード層上に成長したSchottkyダイオードは大変良い整流挙動を示し,±2Vのバイアス電圧での整流比は8000と大きいことが分かる。それと対照的に,ゾルゲルシード層を持つSchottkyダイオードにおいてはOhm挙動が観察される。容量-電圧測定から,水熱シード層上に成長したSchottkyダイオードはZn空孔の結果として0.77eVのSchottky障壁高さを持つことが実証される。しかし,ゾルゲルシード層上に成長したZnOではバンドが表面で下向きに曲がっていることが観察される。下向きにバンドが曲がることによって,ZnO表面に高キャリア濃度が発生する。このことは酸素空孔によって引き起こされる。Zn/Oの原子比をX線光電子分光法を用いて調べ,キャリア輸送機構を電流-電圧測定によって研究した。

シソーラス用語： *Schottky障壁ダイオード ,  *酸化亜鉛 ,  水熱合成 ,  ゾル-ゲル法 ,  電流電圧特性 ,  バンドギャップ ,  X線光電子分光法 ,  ナノロッド ,  容量電圧特性 ,  *下層
準シソーラス用語： Schottkyダイオード ,  XPS ,  エネルギーバンドギャップ ,  シード層

分類 (1件)： ダイオード  (NC03050R)

タイトルに関連する用語 (9件)： アニール ,  水 ,  シード層 ,  ゾル ,  ゲル ,  表面処理 ,  Au ,  ZnO ,  Schottkyダイオード