文献

J-GLOBAL ID：201302264049263203   整理番号：13A1855839

単独空孔2Dナノシートへの汚染物質HFの吸着:Ab Initio分子動力学研究

Adsorption of HF Pollutant on Single Vacant 2D Nanosheets: Ab Initio Molecular Dynamics Study

著者 (3件)： GHOSH Dibyajyoti (Jawaharlal Nehru Centre for Advanced Scientific Res., Bangalore, IND) ,  PERIYASAMY Ganga (Jawaharlal Nehru Centre for Advanced Scientific Res., Bangalore, IND) ,  PATI Swapan K (Jawaharlal Nehru Centre for Advanced Scientific Res., Bangalore, IND)
資料名： Journal of Physical Chemistry C  (Journal of Physical Chemistry C)
巻： 117  号： 42  ページ： 21700-21705  発行年： 2013年10月24日 
JST資料番号： W1877A  ISSN： 1932-7447  CODEN： JPCCCK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 汚染物質HFを分解せずに吸収・除去するための吸着剤として,実験的に合成された格子点欠陥を有し,安定で電子豊富である単独空孔二次元シートが適しているのかを理論面から検討した。対象となった吸着剤は六方晶系の窒化ホウ素(h-BN)と官能化したグラフェン(h-CNp)であり,室温,1気圧の条件下で,DFTに基づくab initio分子動力学を用いた。h-BNとh-CNpのいずれの場合でも,シートに対するHF分子の初期の配向にかかわらず,HF分子は格子点欠陥に向かい,Hをシートに垂直に向けて吸着した。格子欠陥点の周りの電荷分布がh-CNpでは対称的であるのにh-BNでは非対称的であることを反映して,2つのシートの間では前者の方が後者より吸着エネルギーが高かった。格子欠陥点の周りに水分子の3~4層がある場合の影響についても検討したが,HFの挙動は気相よりの吸着の場合と類似していた。

シソーラス用語： *フッ化水素 ,  ナノ構造 ,  膜 ,  汚染物質 ,  除去 ,  浄化 ,  吸着剤 ,  密度汎関数法 ,  *分子動力学 ,  *量子論 ,  窒化ホウ素 ,  *炭素材 ,  吸着エネルギー ,  電荷分布 ,  空孔欠陥 ,  *吸着 ,  表面改質 ,  点欠陥 ,  官能化 ,  *グラフェン ,  ナノシート
準シソーラス用語： *ab initio分子動力学 ,  DFT計算 ,  *グラフェンシート ,  汚染物質除去 ,  表面官能化

分類 (2件)： 吸着の電子論  (CB12042Y) ,  炭素とその化合物  (YB02060D)

タイトルに関連する用語 (8件)： 空孔 ,  2D ,  ナノシート ,  汚染物質 ,  HF ,  吸着 ,  分子動力学 ,  研究