文献

J-GLOBAL ID：201302264264521469   整理番号：13A0742136

Si_1-xGe_xナノワイヤの機械特性に対する表面化学構造の影響

Effects of Surface Chemical Structure on the Mechanical Properties of Si_1-xGe_x Nanowires

著者 (10件)： MA J. W. (Yonsei Univ., Seoul, KOR) ,  LEE W. J. (Yonsei Univ., Seoul, KOR) ,  BAE J. M. (Yonsei Univ., Seoul, KOR) ,  JEONG K. S. (Yonsei Univ., Seoul, KOR) ,  KANG Y. S. (Yonsei Univ., Seoul, KOR) ,  CHO M.-H. (Yonsei Univ., Seoul, KOR) ,  SEO J. H. (KIST, Seoul, KOR) ,  AHN J. P. (KIST, Seoul, KOR) ,  CHUNG K. B. (Dankook Univ., Cheonan, KOR) ,  SONG J. Y. (Korea Res. Inst. of Standards and Sci., Daejeon, KOR)
資料名： Nano Letters  (Nano Letters)
巻： 13  号： 3  ページ： 1118-1125  発行年： 2013年03月 
JST資料番号： W1332A  ISSN： 1530-6984  CODEN： NALEFD  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： シランおよびゲルマンを前駆体,金ナノ粒子を触媒,水素をキャリアガスとする低圧化学蒸着法によってSi(111)基板にSi_1-xGe_xナノワイヤおよびSi_1-xGe_x/Al₂O₃ナノワイヤを作製した。ナノマニピュレータを用いてこれらの表面からナノワイヤを引上げ,Young率および破断強さを測定してGe含有率xの影響を調べた。Young率はxの増加とともに減少した。破断強さは一定の傾向を示さなかったが熱アニール処理するとxの増加とともに減少した。格子間Geの減少によってこの結果を説明した。

シソーラス用語： *ケイ素化合物 ,  *ゲルマニウム化合物 ,  *ナノワイヤ ,  Young率 ,  破断強さ ,  濃度依存性 ,  アルミナ ,  格子間原子

分類 (2件)： 原子・分子のクラスタ  (BH09030O) ,  無機化合物一般及び元素  (CD01010D)

タイトルに関連する用語 (3件)： ナノワイヤ ,  機械特性 ,  表面化学