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J-GLOBAL ID：201302264292410249   整理番号：13A0317459

バイオセンシング応用向けGd₂Ti₂O₇,Er₂TiO₅,Lu₂Ti₂O₇検出膜(電解質-絶縁体-半導体)の構造/検出特性

Structural and sensing characteristics of Gd₂Ti₂O₇, Er₂TiO₅ and Lu₂Ti₂O₇ sensing membrane electrolyte-insulator-semiconductor for bio-sensing applications

著者 (4件)： PAN Tung-ming (Dep. of Electronics Engineering, Chang Gung Univ., Taoyuan 333, Taiwan, TWN) ,  LIAO Pei-you (Dep. of Electronics Engineering, Chang Gung Univ., Taoyuan 333, Taiwan, TWN) ,  CHANG Kung-yuan (Dep. of Electronics Engineering, Chang Gung Univ., Taoyuan 333, Taiwan, TWN) ,  CHI Lifeng (Inst. of Physics, Westfaelische Wilhelms-Universitaet Muenster, 48149 Muenster, DEU)
資料名： Electrochimica Acta  (Electrochimica Acta)
巻： 89  ページ： 798-806  発行年： 2013年02月01日 
JST資料番号： B0535B  ISSN： 0013-4686  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本報では,電解質-絶縁体-半導体(EIS)pHセンサ向けに,反応性共スパッタリングによりSi基板へ蒸着させたGd₂Ti₂O₇,Er₂TiO₅,Lu₂Ti₂O₇検出膜の構造/検出特性を調べた。本研究では,X線回折,原子間力顕微鏡,X線光電子分光法により,Gd₂Ti₂O₇,Er₂TiO₅,Lu₂Ti₂O₇膜の構造特性を調べた。次に,認めた構造特性を,結果としてのpH検出性能と関連付けた。Lu₂Ti₂O₇検出膜を組入れたEISデバイスは,他の検出膜と比べ,高い感度(59.32mVpH^-1),大きなドリフト速度(0.55mVh^-1),高いヒステリシス電圧(5mV),大きなヒステリシスギャップ(約70mV)を示した。この結果は,より高い表面粗度と,酸化物-Si界面におけるより厚い界面層生成に起因した。更に,キャパシタンス-電圧法(周波数依存C-V曲線)を利用し,EISセンサのインピーダンス効果も調べた。インピーダンススペクトロスコピー分析から,pH値に伴うデバイスのバルク抵抗減少に起因し,EISセンサ半円直径は,より小さくなることを見出した。Copyright 2013 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *pHセンサ ,  *チタン酸塩 ,  *ガドリニウム化合物 ,  *エルビウム化合物 ,  *ルテチウム化合物 ,  反応性スパッタリング ,  ウエハ【IC】 ,  *電解質 ,  *絶縁材料 ,  *半導体 ,  *構造特性 ,  X線回折 ,  原子間力顕微鏡 ,  X線光電子分光法 ,  *感度 ,  ドリフト速度 ,  ヒステリシス ,  表面粗さ ,  静電容量 ,  *バイオセンサ ,  インピーダンススペクトル ,  容量電圧特性 ,  *絶縁体
準シソーラス用語： インピーダンス分光法 ,  キャパシタンス ,  シリコン基板 ,  *薄膜センサ

分類 (4件)： 分析機器  (CC02020S) ,  塩基,金属酸化物  (CD01030Z) ,  酸化物薄膜  (BK14050P) ,  その他の半導体を含む系の接触  (BM03086O)

タイトルに関連する用語 (4件)： バイオセンシング ,  応用 ,  電解質 ,  絶縁体