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J-GLOBAL ID：201302264386413381   整理番号：13A1410286

ZnドープGaAs(100)β2(2×4)表面の幾何学及び電子構造:第一原理研究

Geometry and electronic structure of the Zn-doped GaAs (100) β2(2×4) surface: A first-principle study

著者 (8件)： GUO Jing (Inst. of Electronic Engineering and Optoelectronic Technol., Nanjing Univ. of Sci. and Technol., Nanjing 210094, CHN) ,  GUO Jing (School of Automation, Nanjing Inst. of Technol., Nanjing 211167, CHN) ,  CHANG Benkang (Inst. of Electronic Engineering and Optoelectronic Technol., Nanjing Univ. of Sci. and Technol., Nanjing 210094, CHN) ,  JIN Muchun (Inst. of Electronic Engineering and Optoelectronic Technol., Nanjing Univ. of Sci. and Technol., Nanjing 210094, CHN) ,  YANG Mingzhu (Inst. of Electronic Engineering and Optoelectronic Technol., Nanjing Univ. of Sci. and Technol., Nanjing 210094, CHN) ,  WANG Honggang (Inst. of Electronic Engineering and Optoelectronic Technol., Nanjing Univ. of Sci. and Technol., Nanjing 210094, CHN) ,  WANG Honggang (School of Physics, Ludong Univ., Yantai 264025, CHN) ,  WANG Meishan (School of Physics, Ludong Univ., Yantai 264025, CHN)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 283  ページ： 954-957  発行年： 2013年10月15日 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ZnドープGaAs(100)β2(2×4)表面がCs原子とO原子を吸着する時に負の電子親和性のGaAsフォトカソードが形成される。本報では,非ドープ及び異なる位置にZnをドープされた4種のGaAs(100)β2(2×4)表面のモデルを構築した。第一原理モデリング法を用いてドープされたZnがGaAs(100)β2(2×4)の表面状態に如何に影響するかを研究し,最適Znドーピング位置を求めた。原子構造,エネルギーバンド構造,電荷分布,仕事関数,表面エネルギーの解析を通して,4タイプの中の一つの位置が他のものよりもより良いZnドーピング位置であることを見出した。この位置にドープされたZnは光電子脱出と相互関係がある仕事関数の値を低減するのみならず,Csの吸着がGaAs(100)β2(2×4)表面を実際に負の電子親和性にする双極子層を形成するように導く。Copyright 2013 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *亜鉛 ,  *ドーピング ,  *ヒ化ガリウム ,  表面再構成 ,  電子構造 ,  *表面構造 ,  *第一原理 ,  電子親和力 ,  *光電陰極 ,  *セシウム ,  *酸素 ,  *吸着 ,  化合物半導体 ,  電荷分布 ,  仕事関数 ,  表面エネルギー ,  表面準位 ,  *光電子放出
準シソーラス用語： 表面電子構造 ,  負電子親和性

分類 (3件)： 光電子放出  (BM09030D) ,  表面の電子構造  (BM02080J) ,  半導体の表面構造  (BK15030A)

タイトルに関連する用語 (7件)： Zn ,  ドープ ,  GaAs ,  幾何学 ,  電子構造 ,  第一原理 ,  研究