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J-GLOBAL ID：201302264510241667   整理番号：13A1921465

p型多孔質GaAs構造の光学的および電気的性質に関する研究

Investigation of the optical and electrical properties of p-type porous GaAs structure

著者 (4件)： SAGHROUNI H. (Univ. de Sousse, Hammam Sousse, TUN) ,  HANNACHI R. (Univ. de Sousse, Hammam Sousse, TUN) ,  BEJI L. (Univ. de Sousse, Hammam Sousse, TUN) ,  MISSAOUI A. (Univ. de Sousse, Hammam Sousse, TUN)
資料名： Superlattices and Microstructures  (Superlattices and Microstructures)
巻： 64  ページ： 507-517  発行年： 2013年 
JST資料番号： D0600B  ISSN： 0749-6036  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *化合物半導体 ,  *ヒ化ガリウム ,  P型半導体 ,  エッチング ,  *表面性状 ,  顕微鏡観察 ,  原子間力顕微鏡 ,  X線回折 ,  *屈折率 ,  *電流電圧特性
準シソーラス用語： 多孔質半導体 ,  電気化学エッチング

分類 (3件)： 半導体の表面構造  (BK15030A) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X) ,  光物性一般  (BM08010A)

タイトルに関連する用語 (5件)： 多孔質 ,  GaAs ,  光学 ,  電気的性質 ,  研究