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J-GLOBAL ID：201302264632025310   整理番号：13A1630115

InAs,GaAs,InP,及びGaPナノワイヤにおける鋭い結晶相スイッチングのためのV族の気流のみを用いた一般的な手法

A General Approach for Sharp Crystal Phase Switching in InAs, GaAs, InP, and GaP Nanowires Using Only Group V Flow

著者 (5件)： LEHMANN Sebastian (Lund Univ., Lund, SWE) ,  WALLENTIN Jesper (Lund Univ., Lund, SWE) ,  JACOBSSON Daniel (Lund Univ., Lund, SWE) ,  DEPPERT Knut (Lund Univ., Lund, SWE) ,  DICK Kimberly A. (Lund Univ., Lund, SWE)
資料名： Nano Letters  (Nano Letters)
巻： 13  号： 9  ページ： 4099-4105  発行年： 2013年09月 
JST資料番号： W1332A  ISSN： 1530-6984  CODEN： NALEFD  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 通常,III-V半導体ナノワイヤではウルツ鉱(WZ)型と閃亜鉛鉱(ZB)型が乱雑に混じり,純粋な結晶相のナノワイヤむしろ例外である。ここではAu合金種結晶からのナノワイヤのMOVPE成長において,前駆体であるV族水素化物の気流の変化のみでGaP,GaAs,InP及びInAsナノワイヤのWZとZBの結晶型を積層欠陥無しで制御でき,温度変化とは異なり,その制御速度はV族の質量流制御のスイッチング速度(数秒)のみで決まることを示した。さらに,この手法はこれらの4種の二元半導体で同じ結果を与える一般的な手法であり,その機構がVLS成長においてV族前駆体が関係する気液界面のエネルギーの低下に帰し得るとした

シソーラス用語： 化合物半導体 ,  ヒ化インジウム ,  ヒ化ガリウム ,  リン化インジウム ,  リン化ガリウム ,  ナノワイヤ ,  ウルツ鉱型結晶 ,  閃亜鉛鉱型結晶 ,  MOCVD ,  *結晶成長 ,  *第5族元素 ,  前駆体 ,  気流 ,  走査電子顕微鏡 ,  透過型電子顕微鏡 ,  スイッチング ,  構造相転移
準シソーラス用語： III-V半導体 ,  MOVPE ,  SEM【顕微鏡】 ,  TEM【顕微鏡】 ,  V族元素

分類 (1件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X)

タイトルに関連する用語 (9件)： InAs ,  GaAs ,  InP ,  GAP ,  ナノワイヤ ,  結晶相 ,  スイッチング ,  気流 ,  手法