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J-GLOBAL ID:201302264639005064   整理番号:13A1485733

II-V族Cd3P2量子ドットにおける励起子消滅および解離動力学

Exciton Annihilation and Dissociation Dynamics in Group II-V Cd3P2 Quantum Dots
著者 (4件):
資料名:
巻: 117  号: 29  ページ: 6362-6372  発行年: 2013年07月25日 
JST資料番号: C0334B  ISSN: 1089-5639  CODEN: JPCAFH  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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太陽電池用に多用されるII-VI族半導体量子ドット(QD)に代りII-V族のCd3P2QDの特性を吸収および過渡吸収スペクトルで調べた。粒径を変化して各種吸収極大波長550~1050nmのQDを形成した。650nmの1S励起子の場合,長寿命(259ns)および高発光効率(65%)を示し,ローダミンB(RhB)を吸着すると,励起子は高速でRhBへ電子移動(6.2±0.3ps)し再結合寿命は32±1nsと長寿命であった。粒径(2~7nm)増大で励起子解離速度は低下するが,極大1050nmのQDでも1ns以下と観測された。II-VI半導体に比べて,可視~近赤外にわたる広い吸収特性と共に,より還元性の強い励起状態を示し,酸素や二酸化炭素の還元反応には好適と推定した。
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分類 (2件):
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半導体の可視・紫外スペクトル  ,  励起子 
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