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J-GLOBAL ID：201302264720007128   整理番号：13A1488358

その場熱エッチング過程による半極性(11-22)GaN/m-サファイアの光学的および結晶学的改善

Optical and crystal improvements of semipolar (11-22) GaN/m-sapphire by in-situ thermal etching process

著者 (3件)： SONG Ki-ryong ,  OH Dong-sub ,  LEE Sung-nam
資料名： Current Applied Physics  (Current Applied Physics)
巻： 13  号： 8  ページ： 1643-1646  発行年： 2013年10月 
JST資料番号： W1579A  ISSN： 1567-1739  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： サファイアm面上に成長させた半極性(11-22)GaNの光学的および結晶学的品質を調べたが,その成長は三段階でGaN種結晶の成長,その場熱エッチング(I-STEP)および横成長段階である。三段階成長の導入により通常の一段階成長との比較で光学的および結晶学的品質が高い半極性(11-22)GaN膜を達成した。特に,I-STEPの位置がサファイア基板に向けて1.0から2.5μm減少するので,X線ロッキング曲線のFWHMは1033から828arcsecに減少した。さらに,光ルミネセンスの結果によるとI-STEPを伴った半極性(11-22)GaNのバンド端発光強度は通常の成長技術のそれとの比較で56%増した。これらの結果に基づき,三段階成長が半極性(11-22)GaNの光学的および結晶学的品質の改善に有効であると考えた。Copyright 2013 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *サファイア ,  極性 ,  *窒化ガリウム ,  光学的性質 ,  種結晶 ,  *エッチング ,  エピタクシー ,  *ロッキングカーブ ,  FWHM ,  発光 ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  *光ルミネセンス ,  品質
準シソーラス用語： バンド端発光 ,  横方向成長 ,  結晶品質 ,  *半極性

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (7件)： エッチング ,  過程 ,  半極性 ,  GaN ,  サファイア ,  光学 ,  結晶学