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J-GLOBAL ID：201302264884115428   整理番号：13A1292367

Ge(001)上のNiGe膜中のテクスチャ発展と結晶粒競合

Texture Evolution and Grain Competition in NiGe Film on Ge(001)

著者 (8件)： HUANG Wei (Xiamen Univ., Fujian, CHN) ,  TANG Mengrao (Xiamen Univ., Fujian, CHN) ,  WANG Chen (Xiamen Univ., Fujian, CHN) ,  LI Cheng (Xiamen Univ., Fujian, CHN) ,  LI Jun (Xiamen Univ., Fujian, CHN) ,  CHEN Songyan (Xiamen Univ., Fujian, CHN) ,  XUE Chunlai (Inst. Semiconductors, Chinese Acad., Beijing, CHN) ,  LAI Hongkai (Xiamen Univ., Fujian, CHN)
資料名： Applied Physics Express  (Applied Physics Express)
巻： 6  号： 7  ページ： 075505.1-075505.4  発行年： 2013年07月25日 
JST資料番号： F0599C  ISSN： 1882-0778  CODEN： APEPC4  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Ge(001)上に成長させたNiGe膜の凝集機構を理解するために,NiGe膜のテクスチャ構造をX線極点図測定により明らかにした。NiGe結晶粒の二つの優先配向をNiGe(4<span style=text-decoration:overline>5</span>4)||Ge(001) NiGe[<span style=text-decoration:overline>1</span>01]||Ge[110]及びNiGe(130)||Ge(001) NiGe[002]||Ge[110]と同定した。最初のエピタキシャル整列の成分は優勢になり,焼なまし温度上昇と共に後者が消失した。第二のエピタキシャル整列のNiGe結晶粒は不安定で,比較的高い界面/表面エネルギー故に高温で消失する。種々のエピタキシャル配向を持つ結晶粒の競合は膜凝集に有意に寄与した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *ゲルマニウム化合物 ,  *ニッケル化合物 ,  凝集 ,  極点図 ,  *結晶粒 ,  *エピタクシー ,  表面エネルギー ,  焼なまし ,  温度依存性 ,  ゲルマニウム ,  電子顕微鏡観察 ,  半導体材料
準シソーラス用語： *ゲルマニウム化ニッケル

分類 (1件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X)

引用文献 (15件)：

• GAUDET, S. J. Vac. Sci. Technol. A. 2006, 24, 474
• NAKATSUKA, O. Proc. Ext. Abstr. 7th Int. Workshop Junction Technology, 2007. 2007, 87
• ZHANG, Y.-Y. IEEE Trans. Electron Devices. 2009, 56, 348
• TANG, M. IEEE Electron Device Lett. 2010, 31, 863
• BALAKRISNAN, B. Appl. Phys. Lett. 2005, 87, 241922

タイトルに関連する用語 (5件)： Ge ,  テクスチャ ,  発展 ,  結晶粒 ,  競合