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J-GLOBAL ID：201302264958806142   整理番号：13A0557293

ゾルゲル法で作製したBi(Zn_1/2Zr_1/2)O₃-PbTiO₃強誘電性薄膜の大きな残留分極と小さな漏洩

Large remanent polarization and small leakage in sol-gel derived Bi(Zn_1/2Zr_1/2)O₃-PbTiO₃ ferroelectric thin films

著者 (8件)： ZHANG Linxing (Univ. Sci. and Technol. Beijing, Beijing, CHN) ,  CHEN Jun (Univ. Sci. and Technol. Beijing, Beijing, CHN) ,  ZHAO Hanqing (Univ. Sci. and Technol. Beijing, Beijing, CHN) ,  FAN Longlong (Univ. Sci. and Technol. Beijing, Beijing, CHN) ,  RONG Yangchun (Univ. Sci. and Technol. Beijing, Beijing, CHN) ,  DENG Jinxia (Univ. Sci. and Technol. Beijing, Beijing, CHN) ,  YU Ranbo (Univ. Sci. and Technol. Beijing, Beijing, CHN) ,  XING Xianran (Univ. Sci. and Technol. Beijing, Beijing, CHN)
資料名： Dalton Transactions  (Dalton Transactions)
巻： 42  号： 2  ページ： 585-590  発行年： 2013年01月14日 
JST資料番号： A0270A  ISSN： 1477-9226  CODEN： DTARAF  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Pt(111)/Ti/SiO₂/Si基板上に原料分散液をスピンコート塗布し焼結するゾルゲル法で,(1-x)Bi(Zn_1/2Zr_1/2)O₃-xPbTiO₃(x=0.7~0.9)(BZZ-PT)薄膜(約200nm厚)を作製した。薄膜はXRD(X線回折)で明瞭に(100)に配向したペロブスカイト構造を示した。X=0.8の薄膜は大きな残留分極110μCcm^-2および微少の漏洩電流(150kVcm^-1で3.8×10^-7Acm²)を示した。分極反転の繰り返し特性は10⁸回程度までほぼ一定(10⁹回で74.2%)の特性を示し強誘電性RAM応用の可能性を示した。

シソーラス用語： ゾル-ゲル法 ,  *機能性セラミック ,  *ジルコニウム酸塩 ,  *チタン酸鉛 ,  ペロブスカイト型結晶 ,  白金 ,  *残留分極 ,  *漏れ電流 ,  X線回折 ,  誘電体薄膜 ,  *ビスマス化合物 ,  亜鉛化合物 ,  薄膜成長 ,  分極反転
準シソーラス用語： ナノ配向結晶 ,  *強誘電性セラミック ,  強誘電性薄膜

分類 (2件)： 強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B) ,  塩基,金属酸化物  (CD01030Z)

タイトルに関連する用語 (7件)： ゾルゲル法 ,  作製 ,  Bi ,  O3 ,  強誘電性薄膜 ,  残留分極 ,  漏洩