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J-GLOBAL ID：201302265305039983   整理番号：13A1323063

GaAs上のPbS量子ドットの光ルミネセンスに及ぼすレーザ励起変化の影響

Impact of laser excitation variations on the photoluminescence of PbS quantum dots on GaAs

著者 (2件)： ULLRICH B. (Instituto de Ciencias Fisicas, Universidad Nacional Autonoma de Mexico, Cuernavaca, Morelos, Mexico C.P. 62210, MEX) ,  WANG J.s. (Air Force Res. Lab., Materials & Manufacturing Directorate, Wright Patterson AFB, OH 45433-7707, USA)
資料名： Journal of Luminescence  (Journal of Luminescence)
巻： 143  ページ： 645-648  発行年： 2013年11月 
JST資料番号： D0731A  ISSN： 0022-2313  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GaAs上のコロイド状の2nm PbS量子ドットのGauss形状光ルミネセンスを,532nmでの連続レーザ強度(6W/cm²,18W/cm²および60W/cm²)を変化させ,ドット励起を行って5K~300Kの温度範囲で測定した。研究により,光ポンピング変化に対する量子ドット発光の感受性を明らかにした。典型的なFan理論で,最も低い励起強度で温度に対する発光シフトを記述したが,高められた励起強度で明確に変化した外因性挙動を,経験式で重ね合せた。この外因性特性は,吸収および放射遷移エネルギーの電子的変化(Burstein-Mossシフトおよび多くの基板バイアス効果)が原因であった。Copyright 2013 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *ヒ化ガリウム ,  *硫化鉛 ,  複合材料 ,  *量子ドット ,  量子光学 ,  *レーザ励起 ,  連続レーザ ,  レーザ照射 ,  スペクトル ,  エネルギーギャップ ,  *光ルミネセンス ,  FWHM ,  エネルギー ,  エネルギー吸収 ,  量子遷移 ,  光ポンピング ,  感受性 ,  実験式 ,  重合せ ,  電圧変動 ,  バイアス ,  基板 ,  コロイド
準シソーラス用語： 基板バイアス効果 ,  吸収エネルギー ,  経験式 ,  光ルミネセンススペクトル ,  放射遷移 ,  放射遷移エネルギー

分類 (5件)： 量子光学一般  (BD04010X) ,  無機化合物一般及び元素  (CD01010D) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  一般及び無機化合物の蛍光・りん光(分子)  (BH06061R) ,  コロイド化学一般  (CB11010C)

タイトルに関連する用語 (5件)： GaAs ,  PbS ,  量子ドット ,  光ルミネセンス ,  レーザ励起