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J-GLOBAL ID：201302265316260657   整理番号：13A1668872

ディープサブミクロンゲートの接地NMOS気体放電防御装置のための基板抵抗のコンパクトモデル

A compact model of substrate resistance for deep sub-micron gate grounded NMOS electrostatic discharge protection device

著者 (5件)： Wu Xiaopeng (Key Lab. of Ministry of Education for Band-Gap Semiconductor Materials and Devices, School of Microelectronics ...) ,  Yang Yintang (Key Lab. of Ministry of Education for Band-Gap Semiconductor Materials and Devices, School of Microelectronics ...) ,  Gao Haixia (Key Lab. of Ministry of Education for Band-Gap Semiconductor Materials and Devices, School of Microelectronics ...) ,  Dong Gang (Key Lab. of Ministry of Education for Band-Gap Semiconductor Materials and Devices, School of Microelectronics ...) ,  Chai Changchun (Key Lab. of Ministry of Education for Band-Gap Semiconductor Materials and Devices, School of Microelectronics ...)
資料名： Wuli Xuebao  (Wuli Xuebao)
巻： 62  号： 4  ページ： 047203-1-047203-7  発行年： 2013年 
JST資料番号： B0628A  ISSN： 1000-3290  CODEN： WLHPA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： ディープサブミクロン気体放電防御装置の下層寄生抵抗の現在の被制御電圧情報源モデルを,コンダクタンス変調の影響を考慮することによって最適化する。軽いドープエピタキシャル層を持つ軽いドープバルク下層と重いドープ下層の特性に従って,基板抵抗のコンパクトマクロモデルを提示する。それはレイアウト次元でスケーラブルである。デバイスシミュレーションによって,ソースと基質拡散の間に様々な空間がある装置の実験モデルパラメータを抽出できる。ゲート接地負チャネル金属酸化物半導体の破壊挙動はこの方式の有効性を示す。差し当たり,コンパクトモデルのシミュレーション時間消費は装置シミュレーションソフトのもの7%にすぎない。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST

シソーラス用語： 長さ ,  接地 ,  NMOS構造 ,  *気体放電 ,  抵抗 ,  計算機シミュレーション ,  層 ,  金属酸化物 ,  半導体
準シソーラス用語： ディープサブミクロン ,  NMOS ,  コンパクトモデル ,  デバイスシミュレーション ,  エピタキシャル層

分類 (1件)： 気体放電  (BJ03020T)

タイトルに関連する用語 (5件)： 接地 ,  NMOS ,  気体放電 ,  防御 ,  コンパクトモデル