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J-GLOBAL ID：201302265518919472   整理番号：13A1558057

材料組成-収束イオンビームミリングによる洗濯板状ナノ構造のNb薄膜におけるピンニング強度相関

Material composition - Pinning strength correlation in Nb thin films with focused ion beam-milled washboard nanostructures

著者 (6件)： DOBROVOLSKIY Oleksandr V. (Physikalisches Inst., Goethe-Universitaet, 60438 Frankfurt am Main, DEU) ,  DOBROVOLSKIY Oleksandr V. (Physical Dep., Kharkiv National Univ., 61077 Kharkiv, UKR) ,  BEGUN Evgeniya (Physikalisches Inst., Goethe-Universitaet, 60438 Frankfurt am Main, DEU) ,  HUTH Michael (Physikalisches Inst., Goethe-Universitaet, 60438 Frankfurt am Main, DEU) ,  SHKLOVSKIJ Valerij A. (Physical Dep., Kharkiv National Univ., 61077 Kharkiv, UKR) ,  SHKLOVSKIJ Valerij A. (Inst. for Theoretical Physics, NSC-KIPT, 61108 Kharkiv, UKR)
資料名： Physica C. Superconductivity and Its Applications  (Physica C. Superconductivity and Its Applications)
巻： 494  ページ： 102-105  発行年： 2013年11月15日 
JST資料番号： T0580A  ISSN： 0921-4534  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 材料組成における相互相関変化の分析及びナノ構造Nb(110)薄膜おけるピンニング強度の分析を発表する。ナノパターンは,単軸溝アレイの集束イオンビームミリングによって調製された。それらは,混合状態の渦に対し,洗濯板状のピンニングポテンシャルを引き起こす。異なる磁場の印加により,試料を通って動く磁束線に沿う最尤ピンニングサイトが選択される。これによって,純正薄膜のバックグラウンド等方ピンニング,又はナノ処理に起因する増強等方ピンニングが,プローブされる。処理薄膜における増強ピンニング強度は,ナノパターニングの間に薄膜に埋め込まれたGaの含有量と相関することが分かる。Copyright 2013 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： 構造 ,  ナノ構造 ,  *イオンエッチング ,  *超伝導薄膜 ,  ニオブ ,  パターン形成 ,  磁束密度 ,  渦 ,  *磁束ピン止め ,  臨界電流密度 ,  エピタクシー ,  マグネトロンスパッタリング
準シソーラス用語： 波状 ,  ナノパターニング ,  磁気渦

分類 (3件)： 金属結晶の磁性  (BM06040T) ,  金属系超伝導体の物性  (BM04022R) ,  金属薄膜  (BK14030T)

タイトルに関連する用語 (9件)： 組成 ,  収束イオンビーム ,  ミリング ,  洗濯 ,  ナノ構造 ,  Nb ,  薄膜 ,  ピンニング ,  相関