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J-GLOBAL ID：201302265894844807   整理番号：13A1628009

量子点接触における透過障壁の温度変調

Temperature modulation of the transmission barrier in quantum point contacts

著者 (2件)： SANCHEZ Alfredo X. (Univ. Illinois at Urbana-Champaign, Illinois, USA) ,  LEBURTON Jean-Pierre (Univ. Illinois at Urbana-Champaign, Illinois, USA)
資料名： Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics  (Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics)
巻： 88  号： 7  ページ： 075305.1-075305.9  発行年： 2013年08月 
JST資料番号： D0746A  ISSN： 1098-0121  CODEN： PRBMDO  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 量子点接触(QPC)は2次元(2D)電子ガスにおいて形成される狭い狭窄で,一般的にGaAs/AlGaAsから成るヘテロ構造の表面に設置された分離した金属ゲートに,負の電圧を印加することによって実現される。本稿では,横方向の閉じ込めとゲートおよびGaAs/AlGaAsの界面近傍のバンドの曲がりによって誘起されるポテンシャル障壁を考慮した3次元(3D)の自己無撞着モデルを用いて,GaAs/AlGaAsから成るヘテロ構造に沿ったQPCを通過する電子透過を再検討した結果を報告する。このような系は2Dの持つ閉じ込め効果と結果として生じる伝導度の変化をもたらす厳密な2D系としては取り扱えない。本研究における取り扱いで重要な点は,1Dチャンネルに沿った閉じ込めが緩やかに変化するという仮定である。狭窄に関して定義した有効1Dポテンシャルには,イオン化アクセプター,多体および閉じ込め効果,そして障壁ポテンシャルを考慮した。伝送マトリックス法を用いた計算から,設定したモデルに基づくT=0における伝導度は,0.3G₀から0.6G₀の間で異常が起こることが予測される。ここで,g₀=2e²/hである。この異常は外部ゲート電圧によって誘起される有効ポテンシャルの変化の傾斜の変化に起因する。また,QPC内に反強磁性相互作用が存在する場合には,異常が増大することが予測される。しかし,温度が上昇すると,この異常は消失することが予想される。

シソーラス用語： *点接触 ,  二次元電子ガス ,  *ヒ化ガリウム ,  *ヒ化ガリウムアルミニウム ,  化合物半導体 ,  *ヘテロ接合 ,  ゲート【半導体】 ,  電圧 ,  バンド構造 ,  透過 ,  電子 ,  *電気伝導率 ,  *温度制御
準シソーラス用語： *量子点接触 ,  金属ゲート ,  負の電圧 ,  バンド曲がり ,  電子透過 ,  温度変調

分類 (1件)： 13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y)

タイトルに関連する用語 (3件)： 量子点接触 ,  透過障壁 ,  温度変調