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J-GLOBAL ID:201302265901176300   整理番号:13A1700120

NbN/AlNナノ構造多層薄膜のAlN層厚依存コヒーレントエピタキシャル成長,応力及び硬さ

The AlN layer thickness dependent coherent epitaxial growth, stress and hardness in NbN/AlN nanostructured multilayer films
著者 (8件):
資料名:
巻: 235  ページ: 367-375  発行年: 2013年11月25日 
JST資料番号: D0205C  ISSN: 0257-8972  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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AlN層の厚さ(lAlN)が2.2~12.2nmであるNbN/AlNのナノ多層薄膜を,Ar/N2混合物中の反応性マグネトロンスパッタリングにより,Si(100)基板上に作製した。作製したNbN/AlNナノ多層薄膜の構造的および機械的特性をlAlNの函数として調査した。低入射角X線反射率,X線回折,透過型電子顕微鏡,極点図測定及び超微小硬さ試験によって評価した。lAlNが小さい場合は,六方晶ウルツ鉱-AlN(0002)及び面心立方晶(fcc)AlN(111)の両方がfcc-NbN(111)とコヒーレントである。lAlNが大きくなると,fcc-NbN(111)/w-AlN(0002)のコヒーレント成長が促進される。lAlNが2.2から12.2nmまで大きくなってもすべてのNbN/AlNナノ多層薄膜の硬さは32.7~37.5GPaの間に留まる。これらの現象と機構について考察した。Copyright 2013 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.
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分類 (2件):
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その他の無機化合物の薄膜  ,  セラミック・磁器の性質 

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