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J-GLOBAL ID：201302266047764291   整理番号：13A0017776

Si細線導波路と相変化材料による超小型光スイッチ=メモリ性と大きな屈折率変化特性を有する相変化材料薄膜をSi細線導波路上に形成した超小型光スイッチ=

著者 (1件)： 津田裕之 (慶応大)
資料名： 光アライアンス  (Optical Alliance)
巻： 24  号： 1  ページ： 53-56  発行年： 2013年01月01日 
JST資料番号： L1746A  ISSN： 0917-026X  CODEN： HARAEW  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 超小型光スイッチの試作を行い,良好な特性を得られた。光スイッチの相変化材料は,Ge₂Sb₂Te₅を用いた(膜厚25nm)。半導体レーザ(660nm)を直接変調して光パルスを生成し,対物レンズでスポット径約1.2μmに集光した後,相変化薄膜に照射し評価を行った。相変化薄膜の結晶化条件とアモルファス化条件を示した。Si細線導波路上に相変化薄膜を蒸着しMII型光ゲートスイッチを作製した。スイッチング立ち上がり時間(結晶相→アモルファス相)は130ns,立下り時間(アモルファス相→結晶相)は400nsであった。繰返しスイッチングは2千回まで約9dBの消光比であった。スイッチング状態の透過スペクトルも評価した。

シソーラス用語： *光スイッチ ,  固体素子 ,  *光導波路 ,  *材料 ,  屈折率 ,  非晶質 ,  固相 ,  *パルスレーザ照射
準シソーラス用語： 超小型デバイス ,  *シリコン細線光導波路 ,  *相変化材料 ,  アモルファス相 ,  結晶相

分類 (1件)： その他の光伝送素子  (BD06040S)

タイトルに関連する用語 (8件)： Si ,  細線 ,  導波路 ,  相変化材料 ,  光スイッチ ,  メモリ性 ,  屈折率変化 ,  薄膜