半導体発光デバイスの劣化解析と劣化抑制

上田修

文献

J-GLOBAL ID：201302266216586993 整理番号：13A0994189

半導体発光デバイスの劣化解析と劣化抑制

Degradation Analysis of Semiconductor Optical Devices and Suppression of Degradation

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資料名：
巻： 6 号： 4 ページ： 294-304 (J-STAGE) 発行年： 2013年
JST資料番号： U0221A ISSN： 1882-0875 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：解説発行国：日本 (JPN) 言語：日本語 (JA)

各種化合物半導体多層薄膜から作製されたLEDや半導体レーザといった半導体発光デバイスは,現在,社会,産業,家庭における様々なシステムや機器に搭載されている.このような発光デバイスは,機器への不適切な実装や過酷な条件での使用などで劣化し,機器やシステムの不具合や障害,事故の原因となる.そこで,本稿では,赤色・赤外デバイスを中心とした発光デバイスの種々の劣化モードについて,劣化メカニズム,解析事例,及び抑制方法について解説する.(著者抄録)

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発光素子 , 固体デバイス計測・試験・信頼性

引用文献 (25件)：

(1)I. Hayashi, M. B. Panish, P. W. Foy, and S. Sumski, “Junction lasers which operate continuously at room temperature,”Appl. Phys. Lett., vol.17, no.3, pp.109-111, Aug. 1970.
(2)M. Ikeda,O. Ueda, S. Komiya, and I Umebu,“Thermal strain-induced degradation mechanism in the visible AlGaAs/GaAs laser,”J. Appl. Phys., vol.58,no.7, pp.2448-2452, Oct. 1985.
(3)S. Guha, J. M. DePuydt, M. A. Haase, J. Qui, and H. Cheng, “Degradation of II-VI based blue-green light emitters,”Appl. Phys. Lett. , vol.63, no.23, pp.3107-3109, Dec. 1993.
(4)S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, H. Kiyoku, and Y. Sugimoto, “InGaN-based multi-quantum-well-structure laser diodes,”Jpn. J. Appl. Phys., vol.35, Part2, no.1B, pp.L74-L76, Jan. 1996.
(5)O. Ueda, “Degradation of III-V opto-electronic devices,”J. Electrochem. Soc., vol.135, no.1, pp.11C-22C, Jan. 1988.

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