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J-GLOBAL ID：201302266335568944   整理番号：13A1776863

酸化物被覆のGe(111)とGe(100)からの光第二高調波発生での界面共鳴

Interface resonances in optical second-harmonic generation from oxide-covered Ge(111) and Ge(100)

著者 (3件)： RAFAELSEN Jens (Aalborg Univ., Aalborg East, DNK) ,  KRISTENSEN Peter K. (Aalborg Univ., Aalborg East, DNK) ,  PEDERSEN Kjeld (Aalborg Univ., Aalborg East, DNK)
資料名： Journal of the Optical Society of America. B. Optical Physics  (Journal of the Optical Society of America. B. Optical Physics)
巻： 30  号： 10  ページ： 2758-2764  発行年： 2013年10月01日 
JST資料番号： C0977A  ISSN： 0740-3224  CODEN： JOBPDE  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *第二高調波発生 ,  半導体材料 ,  非線形光学材料 ,  空間電荷 ,  *ゲルマニウム ,  酸化物 ,  被覆 ,  結晶方位 ,  界面 ,  共鳴 ,  *半導体薄膜

分類 (2件)： 非線形光学  (BD05000T) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (5件)： 酸化物被覆 ,  Ge ,  第二高調波発生 ,  界面 ,  共鳴