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J-GLOBAL ID：201302266572163444   整理番号：13A1232203

パワー半導体用SiCエピタキシャルウェハ

資料名： JETI  (JETI)
巻： 61  号： 7  ページ： 11-14  発行年： 2013年06月28日 
JST資料番号： F0013B  ISSN： 0289-4343  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： SiCやGaNはバンドギャップが広く絶縁破壊電圧が高い。それらの高耐圧電子素子は電力変換素子(パワー素子)として電気エネルギーの有効利用のために重要である。GaN系は実用レベルの結晶が入手困難であるが,SiCは実用レベルの結晶が市販されている。SiCは種々の結晶形態をもつが,パワー素子にはバンドギャップが大きく電子移動度が高い4H構造のものが用いられる。4H構造SiCの高品質結晶を作成する昭和電工(株)のエピタキシャルウエハの生産技術を解説した。4H構造形成には基板の面方位を{0001}面から僅かに傾け1500°C程度で蒸着する。格子欠陥は素子の収率や特性に悪影響を及ぼすが,面転位を刃状転位に変換するなどして欠陥形成を抑制する。Si基板面を4°傾けてMOSFET技術により量産販売できる製品を得た。現在は直径100mm(4in)のウエハを生産しているが,150mm(6in)のものの生産技術を開発中である。

シソーラス用語： *電力変換器 ,  *半導体素子 ,  *炭化ケイ素 ,  窒化ガリウム ,  多形 ,  MOSFET ,  *エピタクシー ,  基板 ,  ケイ素 ,  炭素 ,  バンドギャップ ,  絶縁耐力 ,  *結晶度 ,  無転位結晶 ,  大量生産 ,  傾斜

分類 (3件)： 電力変換器  (NB08030B) ,  半導体薄膜  (BK14040E) ,  固-固界面  (CB12060M)

タイトルに関連する用語 (3件)： パワー半導体 ,  SiC ,  エピタキシャルウェハ