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J-GLOBAL ID：201302266683546229   整理番号：13A1632117

絶縁破壊発展における半絶縁材からのイオン誘導二次電子放出に基づく表面挙動

Surface behavior based on ion-induced secondary electron emission from semi-insulating materials in breakdown evolution

著者 (4件)： KOC Emrah (Gazi Univ., Ankara, TUR) ,  KARAKOESE Sema (Gazi Univ., Ankara, TUR) ,  SALAMOV Bahtiyar G. (Gazi Univ., Ankara, TUR) ,  SALAMOV Bahtiyar G. (Inst. of Physics, National Acad. of Sci., Baku, AZE)
資料名： Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science  (Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science)
巻： 210  号： 9  ページ： 1806-1816  発行年： 2013年09月 
JST資料番号： D0774A  ISSN： 1862-6300  CODEN： PSSABA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 最近までに,各種陰極又はガス環境におけるガス空間の電子誘導衝突転移及び表面の放出プロセスの重要性を考慮して,いくつかの研究が進められ,典型的な二次電子放出(SEE)挙動が明らかになってきた。ここでは,半導体陰極のイオン衝撃下での破壊発展に対する二次電子放出プロセスの典型的な効果を調べる。十分小さな放電ギャップは,放電の開始時に高い二次電子放出率(γi)レベルを生成し,均一プラズマ分布が高電場を通してγiの寄与により保持される。この目的のために,InP,GaAs及びケイ素半導体陰極について,E/N(300-10000Td)の広い範囲のアルゴン及び空気環境において,イオン化係数(α)及びSEE係数(γ)の評価を含む実験測定及びTownsent係数法による計算を実行した。Paschenカーブは,γ及びα/N(Nは,ガスの数密度,αは,単位長さあたりの1電子による電離の数)を介しての破壊電圧に対する大きなpd(dは電極間距離,pはガス圧)範囲の依存性として解釈される。

シソーラス用語： *二次電子放出 ,  *イオン衝突 ,  プラズマ相互作用 ,  カソード ,  放電ギャップ ,  リン化インジウム ,  ヒ化ガリウム ,  ケイ素 ,  *化合物半導体 ,  *絶縁破壊 ,  電圧 ,  Paschen則 ,  放電
準シソーラス用語： III-VI族半導体 ,  破壊電圧

分類 (2件)： 気体放電  (BJ03020T) ,  Auger電子放出,二次電子放出  (BM09040O)

タイトルに関連する用語 (7件)： 絶縁破壊 ,  発展 ,  半絶縁 ,  イオン ,  誘導 ,  二次電子放出 ,  挙動