文献

J-GLOBAL ID：201302266858226575   整理番号：13A0799479

MEMS分野の最新動向 2)オリンパスのカンチレバー最新動向 イオン照射法による一括成長したカーボンナノファイバ探針

著者 (1件)： 北澤正志 (オリンパス)
資料名： クリーンテクノロジー  (Clean Technology)
巻： 23  号： 5  ページ： 6-12  発行年： 2013年05月10日 
JST資料番号： L1138A  ISSN： 0917-1819  CODEN： KTEKER  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 半導体製造技術を用いたカンチレバー製造の歴史的経緯を概観しイオン照射法による一括作製が可能なカーボン系ナノ細線(CNF)カンチレバーの構造・機械的特性等をSi製と比較して示した。イオン照射法によりカンチレバー探針先端にバッチ処理により1本のCNFを成長させることが出来たと述べた。構造,成長メカニズムを示し市販のSi探針先端にCNFを成長させることも可能と述べた。弾性力に優れる機械的特性やSi探針との境界強度を示した。高アスペクト比の特徴をトレンチ構造の解析に利用しSi探針の2倍以上深く測定できることを示した。導電性を付加した金属混入CNFの製造も可能と述べ電気特性測定用のカンチレバーとして理想的なプローブとなる可能性を示した。

シソーラス用語： *MEMS ,  *片持梁 ,  *技術予測 ,  イオン照射 ,  炭素繊維 ,  ケイ素 ,  *欠陥検査 ,  *プローブ ,  ナノワイヤ ,  高分解能 ,  結晶構造 ,  アスペクト比
準シソーラス用語： カーボンナノファイバ

分類 (1件)： 固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

タイトルに関連する用語 (7件)： MEMS ,  最新動向 ,  カンチレバー ,  イオン照射 ,  成長 ,  カーボンナノファイバ ,  探針