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J-GLOBAL ID：201302266890599570   整理番号：13A0975275

SiCN/Si(111)基板上の多重量子井戸構造を持つIn_xGa_1-xN/GaN太陽電池の温度

Temperature of In _x Ga_1-x N/GaN solar cells with a multiple-quantum-well structure on SiCN/Si(111) substrates

著者 (1件)： LIOU Bor Wen
資料名： Solar Energy Materials and Solar Cells  (Solar Energy Materials and Solar Cells)
巻： 114  ページ： 141-146  発行年： 2013年07月 
JST資料番号： D0513C  ISSN： 0927-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 各動作温度でのSiCN/Si(111)基板上のIn_xGa_1-xN多重量子井戸(MQW)構造を持つIn_xGa_1-xN/GaNベース太陽電池のキャラクタリゼーションを報告した。低い暗電流密度(J_d),高い開回路電圧(V_oc),および高い短絡電流密度(J_sc)を持つ太陽電池動作を実証した。動作温度の上昇はJ_dとJ_scの増加を生じるが,V_oc,曲線因子(FF),光電池効率(η)は減少する。様々なレベルのインジウム含有量の素子構造をエアマス1.5グローバル太陽スペクトルの下で研究した。提案構造は2.01~4.27μA/cm²の低J_d,2.34~2.94Vの高V_oc,2.71~2.82mA/cm²の高J_sc,64.40~75.01%の高FF,および4.25~5.99%の高ηを持つ太陽電池の製作に用いることができる。Copyright 2013 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： ケイ素化合物 ,  炭化物 ,  *窒化物 ,  ウエハ【IC】 ,  多重量子井戸 ,  *インジウム化合物 ,  *ガリウム化合物 ,  *窒化ガリウム ,  *太陽電池 ,  温度 ,  キャラクタリゼーション ,  暗電流 ,  電流密度 ,  電圧 ,  パラメータ ,  エネルギー変換効率 ,  インジウム ,  含有量 ,  素子構造
準シソーラス用語： *InGaN ,  Si基板 ,  開回路電圧 ,  曲線因子 ,  短絡電流密度

分類 (2件)： 太陽電池  (NC03084O) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (4件)： Si ,  多重量子井戸 ,  GaN ,  太陽電池