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J-GLOBAL ID：201302266911520154   整理番号：13A0965659

平面および集合組織化シリコン表面上のグラフェン層の反射防止性質

Antireflection properties of graphene layers on planar and textured silicon surfaces

著者 (5件)： KUMAR Rakesh (Indian Inst. Technol. Delhi, New Delhi, IND) ,  SHARMA A K (Indian Inst. Technol. Delhi, New Delhi, IND) ,  BHATNAGAR Mehar (Indian Inst. Technol. Delhi, New Delhi, IND) ,  MEHTA B R (Indian Inst. Technol. Delhi, New Delhi, IND) ,  RATH Shyama (Univ. Delhi, Delhi, IND)
資料名： Nanotechnology  (Nanotechnology)
巻： 24  号： 16  ページ： 165402,1-8  発行年： 2013年04月26日 
JST資料番号： W0108A  ISSN： 0957-4484  CODEN： NNOTER  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 研磨した表面(PS)そしてSi太陽電池技術で一般に使用されている化学的集合組織化表面(TS)上のグラフェン膜の反射防止性質を報告する。マイクロ波プラズマ励起化学的気相成長(MPCVD)および化学的方法により形成したグラフェン層をシリコン表面上に分散させ,300~650nmの波長範囲で反射率を測定した。結果は,グラファイト被覆層が測定した波長範囲反射率を大幅に減少させ,研磨シリコンの場合には大きな減少を伴うことを示した。Si₃N₄参照反射防止被覆そしてグラフェン堆積した研磨シリコンおよび集合組織化シリコンが450~650nmの範囲で同様な反射率をもつことを観測した。有限差時間領域(FETD)計算は,SiO₂中間層の存在が観測された反射率減少のために重要な必要条件であることを示した。SiO₂の厚さとグラフェン層の数を変えて望みの波長範囲において低反射率を達成できると考えられる。

シソーラス用語： *炭素材 ,  基板 ,  ケイ素 ,  *プラズマCVD ,  プラズマ ,  反射率 ,  研磨 ,  *反射防止膜 ,  被覆 ,  *二酸化ケイ素 ,  層 ,  *有限差分時間領域法 ,  *グラフェン
準シソーラス用語： マイクロ波プラズマ ,  中間層

分類 (2件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A) ,  光物性一般  (BM08010A)

タイトルに関連する用語 (4件)： 集合組織 ,  シリコン ,  グラフェン ,  反射防止性