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J-GLOBAL ID：201302266991161834   整理番号：13A0344827

遷移金属でドープしたゾル-ゲル誘起ムライトの電気特性および誘電特性

Electrical and dielectric properties of sol-gel derived mullite doped with transition metals

著者 (4件)： ROY Debasis (Physics Dep., Jadavpur Univ., Kolkata 700 032, IND) ,  BAGCHI Biswajoy (Physics Dep., Jadavpur Univ., Kolkata 700 032, IND) ,  DAS Sukhen (Physics Dep., Jadavpur Univ., Kolkata 700 032, IND) ,  NANDY Papiya (Physics Dep., Jadavpur Univ., Kolkata 700 032, IND)
資料名： Materials Chemistry and Physics  (Materials Chemistry and Physics)
巻： 138  号： 1  ページ： 375-383  発行年： 2013年02月15日 
JST資料番号： E0934A  ISSN： 0254-0584  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高度に結晶化したムライトコンポジットをコバルト,ニッケル,銅のような遷移金属の存在下で,ゾル-ゲル法により,1000°Cと3000°Cで合成した。コンポジットの誘電特性(誘電率,損失正接,およびa.c.伝導率)を室温で測定し,周波数やドープした金属の濃度の増加によるそれらの変化について検討した。ニッケルでドープしたコンポジットは,濃度0.002(M),周波数1.5MHzで,3.15の最小誘電率を示す。実験結果は,金属ドーピングイオンの濃度が増加するのに伴い,a.c.伝導率が直線的に増加することを示す。コンポジットの誘電率と損失正接は,電子工業において一般的使用における要求の範囲内である。Copyright 2013 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *ムライト ,  損失正接 ,  遷移金属 ,  ドーピング ,  *ゾル-ゲル法 ,  *電気特性 ,  *誘電性 ,  複合材料 ,  濃度依存性 ,  周波数依存性 ,  電気伝導率 ,  コバルト ,  ニッケル ,  銅 ,  X線回折 ,  FTIR分光法 ,  走査電子顕微鏡
準シソーラス用語： FE-SEM

分類 (1件)： 合成鉱物  (CD01040K)

タイトルに関連する用語 (8件)： 遷移金属 ,  ドープ ,  ゾル ,  ゲル ,  誘起 ,  ムライト ,  電気特性 ,  誘電特性