文献

J-GLOBAL ID：201302267062182670   整理番号：13A1410267

フラッシュアニーリングによるSi(001)上へのSiGeのリングとホールの作製

Fabrication of SiGe rings and holes on Si(001) by flash annealing

著者 (11件)： PERSICHETTI L. (Dipartimento di Fisica, Universita di Roma “Tor Vergata”, Via della Ricerca Scientifica 1, 00133 Roma, ITA) ,  PERSICHETTI L. (CHOSE (Centre for Hybrid and Organic Solar Energy), Dipartimento di Ingegneria Elettronica Universita di Roma “Tor ...) ,  CAPASSO A. (School of Chemistry, Physics and Mechanical Engineering, Queensland Univ. of Technol., GPO BOX 2434, Brisbane 4001, AUS) ,  SGARLATA A. (Dipartimento di Fisica, Universita di Roma “Tor Vergata”, Via della Ricerca Scientifica 1, 00133 Roma, ITA) ,  QUATELA A. (CHOSE (Centre for Hybrid and Organic Solar Energy), Dipartimento di Ingegneria Elettronica Universita di Roma “Tor ...) ,  KACIULIS S. (Inst. for the Study of Nanostructured Materials, ISMN-CNR, PO Box 10, 00015 Monterotondo Stazione, Roma, ITA) ,  MEZZI A. (Inst. for the Study of Nanostructured Materials, ISMN-CNR, PO Box 10, 00015 Monterotondo Stazione, Roma, ITA) ,  NOTARIANNI M. (School of Chemistry, Physics and Mechanical Engineering, Queensland Univ. of Technol., GPO BOX 2434, Brisbane 4001, AUS) ,  MOTTA N. (School of Chemistry, Physics and Mechanical Engineering, Queensland Univ. of Technol., GPO BOX 2434, Brisbane 4001, AUS) ,  FANFONI M. (Dipartimento di Fisica, Universita di Roma “Tor Vergata”, Via della Ricerca Scientifica 1, 00133 Roma, ITA) ,  BALZAROTTI A. (Dipartimento di Fisica, Universita di Roma “Tor Vergata”, Via della Ricerca Scientifica 1, 00133 Roma, ITA)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 283  ページ： 813-819  発行年： 2013年10月15日 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SiGeアイランドがアニーリング処理によってSiキャッピング無しに単独でナノホールやリングに変換されることを示した。リングはGeの融点より高い温度での急速フラッシュ加熱によって形成し,他方,ナノホールは数分のアニーリングで形成した。リングは元のアイランドに対してSiが顕著にリッチであり,アイランドからリングへの成長経路が高温で生ずるGeの選択融解によって駆動されていることを示唆している。Copyright 2013 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *焼なまし ,  *RTA【熱処理】 ,  *ケイ素合金 ,  *ナノ構造 ,  *島状構造 ,  *ケイ素 ,  *ゲルマニウム含有合金 ,  細孔 ,  *エピタクシー ,  *量子ドット ,  化合物半導体 ,  融解 ,  選択性 ,  ナノメータ加工
準シソーラス用語： ナノアイランド ,  ナノホール ,  ナノリング ,  *フラッシュアニーリング

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  半導体の表面構造  (BK15030A)

タイトルに関連する用語 (6件)： フラッシュ ,  アニーリング ,  Si ,  SiGe ,  ホール ,  作製