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J-GLOBAL ID:201302267290080941   整理番号:13A1476572

ドープしたBiVO_4の光触媒特性の研究

Research on Photocatalytic Properties of Doped BiVO_4
著者 (6件):
資料名:
巻: 26  号: 11B  ページ: 79-81,97  発行年: 2012年 
JST資料番号: C2126A  ISSN: 1005-023X  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 中国 (CHN)  言語: 中国語 (ZH)
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Bi(N0_3)_3’5H_20と,NH_4VO_3を原料として使用して,単斜BiVO_4を水熱法で合成した。合成したままのBiVO_4を,X線回折,透過型電子顕微鏡,及び,UV-Vis拡散反射スペクトルにより特性評価し,高温の固相反応により合成したものと比較した。合成したままの水熱製品を,注入法を用いて,9元素でドープし,ドープしたBiVO_4の光触媒特性を,メチレンブルーの分解で評価した。結果は,Cuドープ化BiVO_4が,照射2h下,分解比82%の最良光触媒分解速度を示し,Ce-ドープ化BiVO_4が最低の光触媒分解速度を有し,Si-ドープ化BiVO_4が最良の吸着能を有する事を示す。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST
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