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J-GLOBAL ID：201302267358716432   整理番号：13A1236529

冶金的方法によって製造したソーラーグレードポリシリコンの欠陥に及ぼす熱処理の影響

IMPACT OF THERMAL ANNEALING ON THE DEFECTS OF SOLAR GRADE POLYSILICON PRODUCED BY METALLURGICAL METHOD

著者 (7件)： Wu Hongjun (School of Physical Sci. and Technol., Yunnan University; State Key Lab. of Silicon Materials, Kunming) ,  Chen Xiuhua (School of Physical Sci. and Technol., Yunnan Univ., Kunming) ,  Ma Wenhui (National Engineering Lab. for Vacuum Metallurgy, Kunming Univ. of Sci. and Technology; State Key Lab. of Silicon ...) ,  Jiang Yong (National Engineering Lab. for Vacuum Metallurgy, Kunming Univ. of Sci. and Technol., Kunming) ,  Mei Xiangyang (National Engineering Lab. for Vacuum Metallurgy, Kunming Univ. of Sci. and Technol., Kunming) ,  Zhang Cong (National Engineering Lab. for Vacuum Metallurgy, Kunming Univ. of Sci. and Technol., Kunming) ,  Wu Xinghui (School of Physical Sci. and Technol., Yunnan Univ., Kunming)
資料名： Taiyangneng Xuebao  (Taiyangneng Xuebao)
巻： 33  号： 8  ページ： 1357-1365  発行年： 2012年 
JST資料番号： W0629A  ISSN： 0254-0096  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 冶金的方法によって製造したソーラーグレードポリシリコンに及ぼす熱処理の影響を,異なる実験条件下で調査した。転位,結晶粒界および優先成長配向を,光学顕微鏡法,EBSDおよびXRDによって特徴づけた。その結果,熱処理前後のポリシリコンインゴット内の転位数は,常に,中央<底部<上部であった。1100°Cの条件下で,転位密度は,熱処理時間の延長によって減少し,そして,5.O時間後に限界回復レベルになった。角粒界量は,消失するまで連続的に減少した。R粒界の比率は,最初に増加して,次に減少した。しかし,CSLおよびΣ_3粒界の比率は,連続的に増加し,5.O時間の熱処理後に,Σ_3は,約30%になった。<111>のピーク強度は,常に増加したが,<311>は,零まで徐々に減少した。さらに,<511>,<531>,<620>において,ピーク強度は,最初に減少して,次に増加し,最後に,再び減少した。異なる位置のすべての結晶粒は,5.O時間の熱処理後に,高度一貫優先成長配向を達成した。さらに,異なる温度条件の限界回復レベルを得た。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST

シソーラス用語： 冶金 ,  *ポリシリコン ,  *熱処理 ,  結晶粒界 ,  温度

分類 (1件)： 熱処理一般  (WC03010I)

タイトルに関連する用語 (3件)： 冶金 ,  欠陥 ,  熱処理