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J-GLOBAL ID：201302268228489201   整理番号：13A1299711

炭素修飾Si(111)表面上のグラフェンの電子物性 ab initio研究

Electronic properties of graphene on the C-decorated Si(111) surface: An ab initio study

著者 (6件)： LIU J. ,  HE C.y. ,  WANG W. ,  JIAO N. ,  ZHANG C.x. ,  SUN L.z.
資料名： Current Applied Physics  (Current Applied Physics)
巻： 13  号： 7  ページ： 1512-1519  発行年： 2013年09月 
JST資料番号： W1579A  ISSN： 1567-1739  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 密度汎関数法ベースの第一原理計算を行って,清浄な炭素修飾Si(111)表面上に吸着したグラフェンの電子構造を調べた。考察した二種類の表面再構成,2×2と(3)^1/2×(3)^1/2は異なる濃度で炭素原子の修飾を受ける。理想的な清浄Si(111)表面上に吸着したグラフェンは2×1再構成を誘起する傾向があり,その電子分散特性は保存される。さらに,Si(111)表面上の炭素原子修飾は有効に表面のSiのダングリングボンドを不動態化する。この種の修飾効果は,炭素修飾Si(111)表面をその優れた電子構造を保存させる有望なグラフェンの基板とする。Copyright 2013 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *炭素 ,  *化学修飾 ,  *炭素材 ,  ウエハ【IC】 ,  ab initio法 ,  *密度汎関数法 ,  *表面再構成 ,  分散【dispersion】 ,  ダングリングボンド ,  不動態化 ,  ケイ素 ,  吸着 ,  *グラフェン
準シソーラス用語： *シリコン基板

分類 (3件)： 表面の電子構造  (BM02080J) ,  半導体の表面構造  (BK15030A) ,  炭素とその化合物  (YB02060D)

タイトルに関連する用語 (6件)： 炭素 ,  修飾 ,  Si ,  グラフェン ,  電子物性 ,  研究