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J-GLOBAL ID：201302268412072585   整理番号：13A1499396

Si上でのγ-Al₂O₃薄膜エピタキシャル成長とそのスピン特性

著者 (4件)： 渡辺雄介 (北大 大学院総合化学院) ,  高橋望 (北大 大学院総合化学院) ,  長浜太郎 (北大 大学院工学研究院) ,  島田敏宏 (北大 大学院工学研究院)
資料名： 日本磁気学会学術講演概要集  (Abstracts. Annual Conference on Magnetics in Japan)
巻： 37th  ページ： 359  発行年： 2013年09月03日 
JST資料番号： Y0056A  ISSN： 1882-2959  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *酸化アルミニウム ,  *エピタクシー ,  注入 ,  *スピン分極 ,  強磁性体 ,  ポテンシャル障壁 ,  トンネル効果 ,  MBE成長 ,  容量電圧特性
準シソーラス用語： エピタキシャル成長 ,  スピン注入 ,  トンネル障壁

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  酸化物結晶の磁性  (BM06050E)

タイトルに関連する用語 (5件)： Si ,  γ-AL2O3 ,  薄膜 ,  エピタキシャル成長 ,  スピン