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J-GLOBAL ID：201302268491455354   整理番号：13A1843868

窒化物ヘテロ構造中の励起子: 零次元から一次元挙動へ

Excitons in nitride heterostructures: From zero- to one-dimensional behavior

著者 (12件)： ROSALES D. (Univ. Montpellier 2, Montpellier, FRA) ,  BRETAGNON T. (Univ. Montpellier 2, Montpellier, FRA) ,  GIL B. (Univ. Montpellier 2, Montpellier, FRA) ,  KAKOULI A. (Centre de Rech. Hetero-Epitaxie et ses Applications, CNRS, Valbonne, FRA) ,  BRAULT J. (Centre de Rech. Hetero-Epitaxie et ses Applications, CNRS, Valbonne, FRA) ,  DAMILANO B. (Centre de Rech. Hetero-Epitaxie et ses Applications, CNRS, Valbonne, FRA) ,  MASSIES J. (Centre de Rech. Hetero-Epitaxie et ses Applications, CNRS, Valbonne, FRA) ,  DURNEV M. V. (St. Petersburg State Univ., St.-Petersburg, RUS) ,  DURNEV M. V. (Ioffe Physical-Technical Inst., RAS, St.-Petersburg, RUS) ,  KAVOKIN A. V. (St. Petersburg State Univ., St.-Petersburg, RUS) ,  KAVOKIN A. V. (Univ. Southampton, Southampton, GBR) ,  KAVOKIN A. V. (Univ. Montpellier, Montpellier, FRA)
資料名： Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics  (Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics)
巻： 88  号： 12  ページ： 125437.1-125437.7  発行年： 2013年09月 
JST資料番号： D0746A  ISSN： 1098-0121  CODEN： PRBMDO  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 分子ビームエピタクシーで成長させた半極性(11-22)配向Al_0.5Ga_0.5N合金上に成長させたGaNナノ構造配列中の励起子寿命の異常な温度依存性を報告した。原子間力顕微鏡測定から,[1-100]結晶方向に沿った一次元秩序の傾向と,[1-100]と[11-23]結晶軸に関するナノ構造横方向形状の面内異方性を明らかにした。GaNナノ構造鎖を有する試料における励起子に対する零次元挙動と伸張したナノ構造配列からなる試料中の一次元挙動は,ナノ構造の特異形状により決定した閉込めポテンシャルを用いた理論計算と良く一致した。

シソーラス用語： アルミニウム化合物 ,  化合物半導体 ,  半導体材料 ,  *窒化ガリウム ,  *励起子 ,  MBE成長 ,  電子顕微鏡観察 ,  光ルミネセンス ,  発光スペクトル ,  半導体薄膜 ,  *ナノ構造

分類 (1件)： 励起子  (BM02120E)

タイトルに関連する用語 (4件)： 窒化物 ,  ヘテロ構造 ,  励起子 ,  挙動